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龍圖騰網恭喜貴州振華風光半導體股份有限公司申請的專利一種高導熱厚膜基片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388491B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111549093.X，技術領域涉及：H10D86/80；該發明授權一種高導熱厚膜基片及其制備方法是由張超超;唐拓;周恒;劉金麗;陳毅;黃潔;徐永朋;李陽設計研發完成，并于2021-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高導熱厚膜基片及其制備方法在說明書摘要公布了：一種高導熱厚膜基片及其制備方法，屬于混合集成電路領域。包括厚膜基片本體、導帶或阻帶、芯片焊接區、導熱凹孔、磁控濺射層、金錫焊料層、銅塊、填充層、背面金屬化層。導帶或阻帶、芯片焊接區位于厚膜基片本體正面表面，背面金屬化層位于厚膜基片背面，導熱凹孔位于厚膜基片背面正對表面芯片焊接區的區域，磁控濺射層為在陶瓷凹孔底部的耐高溫金屬膜層，金錫焊料層為銅塊與凹孔底部的耐高溫金屬膜層之間的焊接層，銅塊位于凹孔中，納米金漿料填充層位于銅塊與凹孔的間隙中。采用激光開凹孔。在不影響其電路載體功能的情況下，通過改變氧化鋁厚膜基片的結構，從而增加厚膜基片的導熱效率。廣泛應用于功率混合集成電路中作高導熱性能厚膜基片。

本發明授權一種高導熱厚膜基片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高導熱厚膜基片，包括：厚膜基片本體，導帶或阻帶，芯片焊接區，導熱凹孔，磁控濺射層，金錫焊料層，銅塊，納米金漿料填充層，厚膜基片背面金屬化層；所述導帶或阻帶、芯片焊接區位于厚膜基片本體正面表面；所述厚膜基片背面金屬化層位于厚膜基片背面；所述導熱凹孔位于厚膜基片背面正對表面芯片焊接區的區域，凹孔深度為使芯片粘接處的基片厚度達到150μm～200μm；所述磁控濺射層為在陶瓷凹孔底部的耐高溫金屬膜層，厚度為100μm～150μm；所述金錫焊料層為銅塊與凹孔底部的耐高溫金屬膜層之間的焊接層；所述銅塊位于凹孔中，與凹孔壁的間隙小于0.1mm；所述納米金漿料填充層位于銅塊與凹孔的間隙中；所述高導熱厚膜基片的制備方法如下：（1）按照現有工藝在厚膜基片正面印刷導帶、阻帶或焊盤，在厚膜基片背面印刷金屬層，烘干待用；（2）根據厚膜基片上的芯片組裝圖，在厚膜基片背面對準正面芯片的區域，進行預開孔；（3）對預開孔的位置，采用激光開凹孔，使芯片粘接處的厚度達到150μm～200μm；（4）采用磁控濺射在陶瓷凹孔中鍍上耐高溫金屬膜層，厚度為100μm～150μm；（5）在凹孔中采用金錫合金焊技術焊接裸銅塊，裸銅塊大小與凹孔大小相仿，裸銅塊尾端恰好與基片背面在同一平面；（6）采用納米金漿料填充凹孔縫隙，在250℃～300℃下烘干；（7）采用超聲清洗烘干更改結構后的厚膜基片；（8）采用等離子清洗厚膜基片，清洗完成備用；所述厚膜基片的材料為微晶玻璃、三氧化二鋁、氮化鋁或氧化鈹。

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