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龍圖騰網恭喜粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119497413B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510072523.5，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權半導體器件及其制備方法是由趙曉龍;張擁華;張青設計研發完成，并于2025-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體器件及其制備方法，包括：半導體材料層；第一溝槽，位于半導體材料層中，第一溝槽的側壁和底壁由圓弧角連接，側壁所在平面與底壁所在平面的夾角為鈍角；漏極區，位于第一溝槽外周半導體材料層中，其深度小于第一溝槽深度；阱區，位于底壁下方半導體材料層中；場氧層，在底壁和側壁的位于阱區和漏極區之間的部分上延伸；柵極介質層，與場氧層連接，覆蓋部分阱區；場板，位于場氧層上；柵極，位于柵極介質層上；源極區，位于阱區的表層；半導體器件的電流導通路徑包括位于半導體材料層內且臨近底壁延伸的第一電流導通路徑以及臨近側壁延伸的第二電流導通路徑。如此，以在降低器件導通電阻的同時，保障器件耐壓性能。

本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體材料層；第一溝槽，位于所述半導體材料層中，所述第一溝槽由所述半導體材料層的表面向內部延伸，所述第一溝槽的側壁和底壁通過圓弧角連接，所述側壁所在的平面與所述底壁所在的平面之間的夾角為鈍角且范圍為100度至110度；在沿所述半導體材料層厚度的方向上，所述第一溝槽的深度的范圍為280nm至300nm，所述第一溝槽用于形成mini-STI淺溝槽隔離結構；漏極區，位于所述第一溝槽外周的所述半導體材料層中，所述漏極區的深度小于所述第一溝槽的深度；阱區，位于所述第一溝槽的底壁下方的所述半導體材料層中；場氧層，位于所述第一溝槽中，且在所述底壁和所述側壁的位于所述阱區和所述漏極區之間的部分上延伸，所述場氧層由所述mini-STI形成，所述場氧層的內側表面與所述底壁所在的平面的夾角為鈍角，所述場氧層的內側表面為所述場氧層的遠離所述側壁的側表面，場氧層的靠近源極區的部分的厚度小于場氧層的靠近漏極區的部分的厚度；柵極介質層，與所述場氧層連接，且覆蓋在部分所述阱區上；場板，位于所述場氧層上；柵極，位于所述柵極介質層上；源極區，位于所述阱區的未被所述柵極介質層覆蓋的部分的表層；其中，所述半導體器件的電流導通路徑包括位于所述半導體材料層內且臨近所述底壁延伸的第一電流導通路徑以及臨近所述側壁延伸的第二電流導通路徑。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人粵芯半導體技術股份有限公司，其通訊地址為：510000 廣東省廣州市黃埔區鳳凰五路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。