恭喜三星電子株式會社曹健浩獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體器件制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109801845B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811327957.1，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件制造方法是由曹健浩;金大中;金在文;樸文漢;車泰昊;韓在鐘設計研發完成，并于2018-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件制造方法在說明書摘要公布了：一種制造半導體器件的方法，包括：形成從襯底突出并沿第一方向延伸的鰭型圖案；在襯底上形成覆蓋鰭型圖案的有限部分的場絕緣層，使得場絕緣層露出鰭型圖案的另外的有限部分；在場絕緣層和鰭型圖案上形成柵極結構，柵極結構沿第二方向延伸，第二方向與第一方向不同；在場絕緣層的第一區域中形成包含氮元素的第一阻擋層，其中，第一區域由柵極結構露出，第一區域與柵極結構相鄰并沿第二方向延伸；在第一阻擋層上和在柵極結構的側壁上形成柵極間隔物。
本發明授權半導體器件制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：形成從襯底突出并沿第一方向延伸的鰭型圖案；在所述襯底上形成覆蓋所述鰭型圖案的有限部分的場絕緣層，使得所述場絕緣層露出所述鰭型圖案的另外的有限部分；在所述場絕緣層和所述鰭型圖案上形成柵極結構，所述柵極結構沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向不同；在形成所述柵極結構之后，在所述場絕緣層的第一區域中形成第一阻擋層，所述第一區域由所述柵極結構露出，所述第一區域與所述柵極結構相鄰并沿所述第二方向延伸，所述第一阻擋層包括氮元素；以及在形成所述第一阻擋層之后，在所述第一阻擋層上和所述柵極結構的側壁上形成柵極間隔物，使得所述第一阻擋層是在形成所述柵極結構之后并且在形成所述柵極間隔物之前形成的。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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