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龍圖騰網恭喜株式會社日本顯示器申請的專利顯示裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649259B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210280593.6，技術領域涉及：H10D86/01；該發明授權顯示裝置的制造方法是由鈴村功設計研發完成，并于2018-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本顯示裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供顯示裝置的制造方法，在具有由氧化物半導體構成的TFT的顯示裝置中，減小源極漏極電阻并實現具有穩定的Vd?Id特性的TFT。形成有多個具有由氧化物半導體105構成的薄膜晶體管TFT的像素的顯示裝置，氧化物半導體中形成有溝道，在溝道的兩側形成的漏極及源極，在溝道與漏極之間或溝道與源極之間形成有中間區域，在氧化物半導體的溝道與中間區域之上形成有柵極絕緣膜106，在柵極絕緣膜之上形成有氧化鋁膜107，在溝道的上方且在氧化鋁膜之上形成有柵電極109，在柵電極的兩側形成有側壁間隔件108，以覆蓋柵電極、側壁間隔件及源極及漏極的方式形成有層間絕緣膜110。

本發明授權顯示裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置具備薄膜晶體管，所述顯示裝置的制造方法的特征在于，包括如下步驟：在基板上形成第1絕緣膜的步驟；在所述第1絕緣膜上形成氧化物半導體的步驟；將所述氧化物半導體圖案化為島狀的步驟；在所述氧化物半導體與所述第1絕緣膜上形成柵極絕緣膜的步驟；在所述柵極絕緣膜之上形成氧化鋁膜的步驟；在所述氧化鋁膜之上形成用于形成側壁間隔件的SiN膜的步驟；在形成有所述側壁間隔件的所述氧化鋁膜之上形成作為柵電極的金屬膜的步驟；在所述柵電極和所述氧化物半導體上形成第2絕緣膜的步驟；在所述第2絕緣膜形成貫通孔的步驟；和以與所述氧化物半導體連接的方式在所述貫通孔形成漏電極和源電極的步驟，在形成所述第2絕緣膜之前將所述氧化鋁膜及所述柵電極圖案化，從而在所述柵電極的兩側形成所述側壁間隔件，并且在俯視觀察時，在連結所述漏電極與所述源電極的方向上，所述柵電極的寬度小于所述氧化鋁膜的寬度。

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