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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體存儲器及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111244065B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811434304.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/522；該發(fā)明授權(quán)集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體存儲器及制備方法是由請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-11-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體存儲器及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體存儲器及制備方法，集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)包括：襯底；下電極層，突出的位于襯底上，由下電極層內(nèi)形成有電容孔；電容介質(zhì)層，共形地覆蓋下電極層的表面；上電極層，共形地覆蓋電容介質(zhì)層的表面；電容極板，區(qū)塊狀位于襯底上并形成于上電極層上，電容極板包括由下至上依次疊置的金屬填充層及共形地覆蓋金屬填充層的導(dǎo)電覆蓋層，導(dǎo)電覆蓋層構(gòu)成為上電極結(jié)構(gòu)的頂表面層及側(cè)表面層，以供接合至少一第一互連結(jié)構(gòu)于頂表面層上。本發(fā)明提供的集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)可以有效避免電容器漏電；同時，在形成電容極板時可僅沉積金屬填充層導(dǎo)電覆蓋層作為電容極板即可保證低電阻。

本發(fā)明授權(quán)集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體存儲器及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底；下電極層，突出的位于所述襯底上，由所述下電極層內(nèi)形成有電容孔；電容介質(zhì)層，共形地覆蓋所述下電極層的表面；上電極層，共形地覆蓋所述電容介質(zhì)層的表面；電容極板，區(qū)塊狀位于所述襯底上并形成于所述上電極層上，所述電容極板包括由下至上依次疊置的金屬填充層及共形地覆蓋所述金屬填充層的導(dǎo)電覆蓋層，所述導(dǎo)電覆蓋層構(gòu)成為上電極結(jié)構(gòu)的頂表面層及側(cè)表面層，以供接合至少一第一互連結(jié)構(gòu)于所述頂表面層上；所述金屬填充層為鎢層，所述導(dǎo)電覆蓋層為氮化鎢層。

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