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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請的專利針對關(guān)鍵尺寸控制在單一等離子體室中的原子層沉積和蝕刻獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111615742B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：201880087023.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)針對關(guān)鍵尺寸控制在單一等離子體室中的原子層沉積和蝕刻是由周翔;木村吉江;張杜明;許晨;加內(nèi)什·烏帕德亞雅;米切爾·布魯克斯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-11-13向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本針對關(guān)鍵尺寸控制在單一等離子體室中的原子層沉積和蝕刻在說明書摘要公布了：本發(fā)明描述了使用集成式原子層沉積ALD和蝕刻處理來對襯底特征進(jìn)行關(guān)鍵尺寸CD控制的方法和裝置。方法包括：蝕刻以在襯底上形成特征掩模圖案，該寬度小于待隨后通過該特征掩模圖案形成的結(jié)構(gòu)的期望寬度；通過ALD保形地沉積鈍化層，從而增加特征掩模圖案的寬度到所述期望寬度，并蝕刻襯底的層至所需的深度以形成具有所述期望寬度的多個(gè)結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)針對關(guān)鍵尺寸控制在單一等離子體室中的原子層沉積和蝕刻在權(quán)利要求書中公布了：1.一種關(guān)鍵尺寸控制的方法，其包含：在等離子體室中蝕刻襯底的第一層以形成特征掩模圖案，所述特征掩模圖案所具有的寬度小于待由所述特征掩模圖案所形成的多個(gè)結(jié)構(gòu)的期望寬度，其中所述特征掩模圖案包含在孤立特征區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)孤立特征以及在密集特征區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)密集特征，所述密集特征區(qū)域具有比所述孤立特征區(qū)域大的特征密度；在所述等離子體室中通過原子層沉積以在所述特征掩模圖案上沉積第一鈍化層，所述第一鈍化層被沉積以具有使所述特征掩模圖案的寬度增加至所述期望寬度的厚度；在所述等離子體室中蝕刻所述襯底的第二層以形成具有所述期望寬度的所述多個(gè)結(jié)構(gòu)；以及在所述等離子體室中重復(fù)通過原子層沉積的沉積操作和蝕刻所述第二層的操作，其中，在重復(fù)通過原子層沉積的沉積操作和蝕刻所述第二層的操作之后，關(guān)鍵尺寸增益在所述孤立特征區(qū)域中的孤立特征與所述密集特征區(qū)域中的密集特征之間是相同或?qū)嵸|(zhì)上相似的。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。