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龍圖騰網(wǎng)恭喜廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司申請的專利發(fā)光二極管及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115360275B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211091655.5，技術領域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權發(fā)光二極管及其制造方法是由鄭錦堅;高默然;丘金金;鄔元杰;常亮;畢京鋒設計研發(fā)完成，并于2022-09-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本發(fā)光二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管包括自下向上的襯底、第一半導體層、量子阱層和第二半導體層，所述第一半導體層的摻雜類型為n型，所述第二半導體層包括堆疊的至少三層半導體層，最底層的所述半導體層與所述量子阱層之間以及相鄰的所述半導體層之間均形成有非故意摻雜AlN層，且最底層和最頂層的所述半導體層的摻雜類型為p型，剩余的所述半導體層的摻雜類型為p型或者為非故意摻雜，所述非故意摻雜AlN層與所述量子阱層和所述半導體層的交界處均形成有二維空穴氣。本發(fā)明的技術方案使得量子阱層中的電子和空穴濃度差異減小，進而使得發(fā)光二極管的光電轉換效率得到明顯提高。

本發(fā)明授權發(fā)光二極管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括自下向上的襯底、第一半導體層、量子阱層和第二半導體層，所述第一半導體層的摻雜類型為n型，所述第二半導體層包括堆疊的至少三層半導體層，最底層的所述半導體層與所述量子阱層之間形成有非故意摻雜AlN層，相鄰的所述半導體層之間形成有非故意摻雜AlN層，且最底層和最頂層的所述半導體層的摻雜類型為p型，剩余的所述半導體層的摻雜類型為p型或者為非故意摻雜，所述非故意摻雜AlN層與所述量子阱層的交界處形成有二維空穴氣，所述非故意摻雜AlN層與所述半導體層的交界處形成有二維空穴氣。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司，其通訊地址為：361012 福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。