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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110875270B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201811015659.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/488；該發(fā)明授權(quán)存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及其制造方法是由請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-08-31向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法，該制造方法包括：提供第一芯片和多個(gè)第二芯片，第一芯片具有第一焊盤，每個(gè)第二芯片均具有第二焊盤；將各第二芯片堆疊設(shè)置于第一芯片，分屬不同第二芯片的第二焊盤與第一焊盤呈階梯狀分布，且分屬任意相鄰兩第二芯片的第二焊盤在第一芯片上的投影部分重合；形成穿過各第二芯片的連接孔，連接孔露出第一焊盤，連接孔包括多個(gè)孔段，各孔段一一對(duì)應(yīng)的位于各第二芯片內(nèi)，且任一孔段露出其所在第二芯片的第二焊盤的部分區(qū)域；在連接孔內(nèi)形成導(dǎo)電體，對(duì)應(yīng)于連接孔的第一焊盤和各第二焊盤均與導(dǎo)電體連接。本公開的制造方法可簡(jiǎn)化工藝，降低成本。

本發(fā)明授權(quán)存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一芯片和多個(gè)第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盤，每個(gè)所述第二芯片均具有第二焊盤；將各所述第二芯片堆疊設(shè)置于所述第一芯片，任意相鄰兩所述第二芯片的邊緣具有位錯(cuò)，所述第一芯片與相鄰所述第二芯片的邊緣也具有所述位錯(cuò)；分屬不同第二芯片的第二焊盤與所述第一焊盤呈階梯狀分布，且分屬任意相鄰兩所述第二芯片的第二焊盤在所述第一芯片上的投影部分重合，任一所述第二焊盤在所述第一芯片上的投影與所述第一焊盤存在部分重合；在距離所述第一芯片最遠(yuǎn)的所述第二芯片上覆蓋光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光并顯影，形成顯影區(qū)，所述顯影區(qū)在所述第一芯片上的投影與所述第一焊盤重合，且露出光刻膠層覆蓋的第二焊盤的部分區(qū)域；在所述顯影區(qū)向所述第一焊盤刻蝕，直至露出所述第一焊盤；剝離所述光刻膠層以形成穿過各所述第二芯片的連接孔，所述連接孔露出所述第一焊盤，所述連接孔包括多個(gè)孔段，各所述孔段一一對(duì)應(yīng)的位于各所述第二芯片內(nèi)，且任一所述孔段露出其所在第二芯片的第二焊盤的部分區(qū)域；在所述連接孔內(nèi)形成導(dǎo)電體，對(duì)應(yīng)于所述連接孔的所述第一焊盤和各所述第二焊盤均與所述導(dǎo)電體連接。

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