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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會社思可林集團(tuán)申請的專利熱處理方法以及熱處理裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112652559B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011536845.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)熱處理方法以及熱處理裝置是由青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彥;谷村英昭設(shè)計研發(fā)完成，并于2016-08-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本熱處理方法以及熱處理裝置在說明書摘要公布了：提供能夠抑制高介電常數(shù)膜的基層的二氧化硅膜的膜厚增大的熱處理方法以及熱處理裝置。在硅的半導(dǎo)體晶片的表面隔著作為界面層膜的二氧化硅膜形成高介電常數(shù)膜。在該半導(dǎo)體晶片容納于腔室內(nèi)后，腔室內(nèi)的壓力被減壓至比大氣壓低的氣壓P1。然后，向腔室內(nèi)供給氨氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w而恢復(fù)至常壓Ps，并向半導(dǎo)體晶片的表面照射閃光來執(zhí)行高介電常數(shù)膜的成膜后熱處理。由于一旦將腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的氣壓P1后就恢復(fù)壓力，因此，能夠使執(zhí)行成膜后熱處理時的腔室內(nèi)的氧氣濃度顯著地變低，從而能夠抑制高介電常數(shù)膜的基層的二氧化硅膜在成膜后熱處理中吸取氧氣而膜厚增大。

本發(fā)明授權(quán)熱處理方法以及熱處理裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種熱處理方法，其特征在于，通過向形成有高介電常數(shù)膜的基板照射閃光來加熱該基板，所述熱處理方法包括：搬入工序，將形成有高介電常數(shù)膜的基板搬入腔室內(nèi)，減壓工序，將所述腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的第一壓力，恢復(fù)壓力工序，向所述腔室內(nèi)供給氧氣類的反應(yīng)性氣體，以將所述腔室內(nèi)的壓力從第一壓力恢復(fù)至比第一壓力高的第二壓力，并使所述腔室內(nèi)的氧濃度為200ppb以下，照射工序，一邊將所述腔室內(nèi)的壓力維持為第二壓力，一邊從閃光燈向所述基板的表面照射閃光，所述第二壓力比所述第一壓力高且比大氣壓低，在所述照射工序之后，從所述腔室排出所述反應(yīng)性氣體，將所述腔室內(nèi)的壓力再次減壓至比所述第二壓力低的壓力。

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