恭喜長鑫存儲技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利電容器陣列結構及其制造方法和包含它的半導體存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111223843B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811417939.2，技術領域涉及：H01L23/64；該發明授權電容器陣列結構及其制造方法和包含它的半導體存儲器是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本電容器陣列結構及其制造方法和包含它的半導體存儲器在說明書摘要公布了：提供一種電容器陣列結構，所述電容器陣列結構設置于半導體襯底上，包含上電極層、下電極層以及粘附于所述上電極層和所述下電極層之間的電容介質層，所述下電極層在垂直于所述襯底的方向上具有臺階面。本發明分兩次形成下電極層，從而解決了刻蝕高深寬比的溝槽時產生的蝕刻停止問題。
本發明授權電容器陣列結構及其制造方法和包含它的半導體存儲器在權利要求書中公布了：1.一種電容器陣列結構的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有多個間隔分布的電容接觸點的襯底；依次形成第一犧牲層和第一支撐層于所述襯底上；通過蝕刻工藝，于所述第一支撐層和所述第一犧牲層上形成第一電容孔，所述第一電容孔暴露出所述電容接觸點；形成第一下電極層于所述第一電容孔內壁；形成電容填充層于所述第一電容孔內；于所述第一支撐層上依次形成第二犧牲層和第二支撐層；通過蝕刻工藝，刻蝕所述第二犧牲層和所述第二支撐層，于所述第一電容孔上方形成第二電容孔，所述第二電容孔露出所述電容填充層，其中：在相對于垂直所述襯底的方向上所述第二電容孔與所述第一電容孔存在不同的傾斜度；形成第二下電極層于所述第二電容孔側壁，所述第二下電極層與所述第一下電極層相連；除去所述電容填充層；除去所述第一犧牲層和所述第二犧牲層；形成電容介質層覆蓋所述第一下電極層和所述第二下電極層；形成上電極層覆蓋所述電容介質層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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