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龍圖騰網恭喜杭州萬高科技股份有限公司申請的專利一種基于eDRAM的高密度近存計算與存內計算混合架構及計算方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119152906B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411567617.1，技術領域涉及：G11C11/4094；該發明授權一種基于eDRAM的高密度近存計算與存內計算混合架構及計算方法是由李欣然;崔國宇;孫全;門長有;黃科杰設計研發完成，并于2024-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于eDRAM的高密度近存計算與存內計算混合架構及計算方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于eDRAM的高密度近存計算與存內計算混合架構及計算方法，其中所述架構包括：eDRAM近存與存算混合陣列、靈敏放大器、ADC電路、存算結果寄存器、特征值更新驅動電路、控制器、行譯碼器和列譯碼器；所述計算方法采用上架構進行計算。本發明通過結合近存與存內計算結構，充分配合兩者的特點對陣列結構與基本單元進行優化設計并互補兩種架構單獨的不足，同時采用了深溝槽電容替代平面電容，具有低功耗、低延時、高計算效率和高密度等優點，有效克服傳統近存電路帶寬限制和存內計算電路工藝限制，可應用于深度學習加速器計算核，特別適用于對集成度和功耗性能有較高要求的邊緣端硬件部署。

本發明授權一種基于eDRAM的高密度近存計算與存內計算混合架構及計算方法在權利要求書中公布了：1.一種基于eDRAM的高密度近存計算與存內計算混合架構，其特征在于，所述架構包括：eDRAM近存與存算混合陣列、靈敏放大器、ADC電路、存算結果寄存器、特征值更新驅動電路、控制器、行譯碼器和列譯碼器；其中，所述eDRAM近存與存算混合陣列按功能劃分為eDRAM存儲陣列和eDRAM存算陣列，所述靈敏放大器與所述eDRAM存儲陣列連接，所述ADC電路與所述eDRAM存算陣列連接，所述存算結果寄存器與所述ADC電路連接及所述特征值更新驅動電路連接，所述行譯碼器和列譯碼器與所述eDRAM近存與存算混合陣列連接，所述特征值更新驅動電路與靈敏放大器連接，所述控制器分別與eDRAM近存與存算混合陣列、靈敏放大器、ADC電路、存算結果寄存器、特征值更新驅動電路、行譯碼器和列譯碼器連接；所述eDRAM近存與存算混合陣列，用于對當前輪次計算的輸入的特征值進行計算；所述靈敏放大器，用于將eDRAM存儲陣列寫入和讀出時的位線電壓放大，以及所述eDRAM存儲陣列的刷新；所述ADC電路，用于將eDRAM存算陣列計算得到的模擬值轉換為數字值；所述存算結果寄存器，用于存儲所述eDRAM存算陣列進行運算后經所述ADC電路轉換得到的數字計算結果；所述存算結果寄存器還，將其存儲的所述數字計算結果轉移到所述特征值更新驅動電路；所述行譯碼器和列譯碼器，用于根據所述控制器發出的地址信號選擇所述eDRAM近存與存算混陣列中對應的行和列；所述特征值更新驅動電路，用于更新所述eDRAM近存與存算混陣列中下一輪次計算的輸入的特征值；所述控制器，用于控制并選擇所述eDRAM近存與存算混合陣列的工作模式、行地址和列地址。

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