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恭喜中電普瑞科技有限公司;南瑞集團(tuán)有限公司;國網(wǎng)浙江省電力有限公司;國家電網(wǎng)公司;北京交通大學(xué)王軒獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜中電普瑞科技有限公司;南瑞集團(tuán)有限公司;國網(wǎng)浙江省電力有限公司;國家電網(wǎng)公司;北京交通大學(xué)申請的專利改進(jìn)型雙箝位子模塊、控制方法和模塊化多電平換流器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN108258918B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201810106454.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H02M7/00;該發(fā)明授權(quán)改進(jìn)型雙箝位子模塊、控制方法和模塊化多電平換流器是由王軒;魏孟剛;李艷軍;付永生;朱寧輝;荊龍;李進(jìn);張良;韓天緒;周亞娟設(shè)計研發(fā)完成,并于2018-02-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

改進(jìn)型雙箝位子模塊、控制方法和模塊化多電平換流器在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種改進(jìn)型雙箝位子模塊、控制方法和模塊化多電平換流器,改進(jìn)型雙箝位子模塊包括第一半橋子模塊、第二半橋子模塊、第三半橋子模塊、二極管D1、二極管D2、二極管D3和開關(guān)管T7,結(jié)構(gòu)簡單,需要器件較少,成本低;控制方法具體分析了改進(jìn)型雙箝位子模塊正常模式和閉鎖兩種模式下各個器件的狀態(tài),最終給出不同狀態(tài)下改進(jìn)型雙箝位子模塊的輸出電壓,實(shí)現(xiàn)對改進(jìn)型雙箝位子模塊的控制,控制過程簡單,易于實(shí)現(xiàn)。由改進(jìn)型雙箝位子模塊和半橋子模塊構(gòu)成的模塊化多電平換流器具備故障清除能力,不需要額外的IGBT,經(jīng)濟(jì)成本低且損耗小。

本發(fā)明授權(quán)改進(jìn)型雙箝位子模塊、控制方法和模塊化多電平換流器在權(quán)利要求書中公布了:1.一種改進(jìn)型雙箝位子模塊的控制方法,其特征在于,所述改進(jìn)型雙箝位子模塊處于正常模式時,所述控制方法包括: 狀態(tài)11)第一半橋子模塊中的IGBT1、第二半橋子模塊中的IGBT3、第三半橋子模塊中的IGBT6、開關(guān)管T7中的IGBT7導(dǎo)通且所述第一半橋子模塊中的IGBT2、所述第二半橋子模塊中的IGBT4、所述第三半橋子模塊中的IGBT5關(guān)斷,所述改進(jìn)型雙箝位子模塊的輸出電壓為+3Uc; 狀態(tài)12):IGBT1、IGBT3、IGBT5、IGBT7導(dǎo)通且IGBT2、IGBT4、IGBT6關(guān)斷,或IGBT1、IGBT4、IGBT6、IGBT7導(dǎo)通且IGBT2、IGBT3、IGBT5關(guān)斷,或IGBT2、IGBT3、IGBT6、IGBT7導(dǎo)通且IGBT2、IGBT4、IGBT5關(guān)斷,所述改進(jìn)型雙箝位子模塊的輸出電壓為+2Uc; 狀態(tài)13):IGBT1、IGBT4、IGBT5、IGBT7導(dǎo)通且IGBT2、IGBT3、IGBT6關(guān)斷,或IGBT2、IGBT4、IGBT6、IGBT7導(dǎo)通且IGBT1、IGBT3、IGBT5關(guān)斷,或IGBT2、IGBT3、IGBT5、IGBT7導(dǎo)通且IGBT1、IGBT4、IGBT6關(guān)斷,所述改進(jìn)型雙箝位子模塊輸出電壓為+Uc; 狀態(tài)14):IGBT2、IGBT4、IGBT5、IGBT7導(dǎo)通且IGBT1、IGBT3、IGBT6關(guān)斷,所述改進(jìn)型雙箝位子模塊的輸出電壓為0; 其中,所述改進(jìn)型雙箝位子模塊,具體包括第一半橋子模塊、第二半橋子模塊、第三半橋子模塊、二極管D1、二極管D2、二極管D3和開關(guān)管T7; 所述二極管D1的陽極、二極管D2的陽極、開關(guān)管T7的集電極均與第三半橋子模塊中儲能電容C3的正極連接,所述二極管D1的陰極與第一半橋子模塊中儲能電容C1的正極連接,所述二極管D2的陰極與第二半橋子模塊中儲能電容C2的正極連接,所述開關(guān)管T7的發(fā)射極同時連接第二半橋子模塊中儲能電容C2的負(fù)極和二極管D3的陰極,所述二極管D3的陽極與第三半橋子模塊中儲能電容C3的負(fù)極連接; 所述第一半橋子模塊還包括開關(guān)管T1和開關(guān)管T2; 所述開關(guān)管T1包括IGBT1和與IGBT1反并聯(lián)的二極管D11; 所述開關(guān)管T2包括IGBT2和與IGBT2反并聯(lián)的二極管D12; 所述IGBT1的集電極連接儲能電容C1的正極,其發(fā)射極連接公共點(diǎn)A,所述IGBT2的集電極連接公共點(diǎn)A,其發(fā)射極連接儲能電容C1的負(fù)極; 所述第二半橋子模塊還包括開關(guān)管T3和開關(guān)管T4; 所述開關(guān)管T3包括IGBT3和與IGBT3反并聯(lián)的二極管D21; 所述開關(guān)管T4包括IGBT4和與IGBT4反并聯(lián)的二極管D22; 所述IGBT3的集電極連接儲能電容C2的正極,其發(fā)射極同時連接IGBT4的集電極和儲能電容C1的負(fù)極,所述IGBT4的發(fā)射極連接儲能電容C2的負(fù)極; 所述第三半橋子模塊還包括開關(guān)管T5和開關(guān)管T6; 所述開關(guān)管T5包括IGBT5和與IGBT5反并聯(lián)的二極管D31; 所述開關(guān)管T6包括IGBT6和與IGBT6反并聯(lián)的二極管D32; 所述IGBT5的集電極連接儲能電容C3的正極,其發(fā)射極連接公共點(diǎn)B,所述IGBT6的集電極連接公共點(diǎn)B,其發(fā)射極連接儲能電容C3的負(fù)極; 所述開關(guān)管T7包括IGBT7和與IGBT7反并聯(lián)的二極管D7。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中電普瑞科技有限公司;南瑞集團(tuán)有限公司;國網(wǎng)浙江省電力有限公司;國家電網(wǎng)公司;北京交通大學(xué),其通訊地址為:102200 北京市昌平區(qū)南邵鎮(zhèn)南中路16號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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