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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111788698B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980016079.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由山崎舜平;栃林克明;方堂涼太;菅谷健太郎;山出直人設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-02-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：提供一種可靠性良好的半導(dǎo)體裝置。一種包括晶體管的半導(dǎo)體裝置，該晶體管包括：第一絕緣體；第二絕緣體；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體；第三絕緣體；第三導(dǎo)電體；第四絕緣體；以及第五絕緣體。第四絕緣體及第五絕緣體中設(shè)置有到達(dá)第二氧化物的開口，以嵌入開口的方式從開口的內(nèi)壁一側(cè)依次設(shè)置有第三氧化物、第三絕緣體和第三導(dǎo)電體。在晶體管的溝道長(zhǎng)度方向上，第四絕緣體與第二氧化物不重疊的區(qū)域的第四絕緣體的至少一部分與第一絕緣體接觸。在晶體管的溝道寬度方向上，第三氧化物與第二氧化物不重疊的區(qū)域的第三氧化物的至少一部分與第一絕緣體接觸。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種包括晶體管的半導(dǎo)體裝置， 所述晶體管包括： 第一絕緣體； 所述第一絕緣體上的第二絕緣體； 所述第二絕緣體上的第一氧化物； 所述第一氧化物上的第二氧化物； 所述第二氧化物上的第三氧化物； 所述第二氧化物上的第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體； 所述第三氧化物上的第三絕緣體； 所述第三絕緣體上的第三導(dǎo)電體； 所述第一導(dǎo)電體及所述第二導(dǎo)電體上的第四絕緣體；以及 所述第四絕緣體上的第五絕緣體， 其中，所述第四絕緣體及所述第五絕緣體中設(shè)置有到達(dá)所述第二氧化物的開口， 所述第三氧化物以覆蓋所述開口的內(nèi)壁的方式設(shè)置， 所述第三絕緣體以隔著所述第三氧化物覆蓋所述開口的內(nèi)壁的方式設(shè)置， 所述第三導(dǎo)電體以隔著所述第三氧化物及所述第三絕緣體嵌入所述開口的方式設(shè)置， 在所述晶體管的溝道長(zhǎng)度方向上，所述第四絕緣體與所述第二氧化物不重疊的區(qū)域中的所述第四絕緣體的至少一部分與所述第一絕緣體接觸， 在所述晶體管的溝道寬度方向上，以所述第一絕緣體的底面高度為基準(zhǔn)，所述第三導(dǎo)電體與所述第二氧化物不重疊的區(qū)域的所述第三導(dǎo)電體的底面高度低于所述第二氧化物的底面高度， 在所述晶體管的溝道寬度方向上，所述第三氧化物與所述第二氧化物不重疊的區(qū)域中的所述第三氧化物的至少一部分與所述第一絕緣體接觸， 并且，所述第一絕緣體的氫和氧中的一方或雙方的透過(guò)性比所述第二絕緣體低。

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