買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜中北大學申請的專利一種基于ITO電阻損耗的寬帶極化不敏感太赫茲吸波材料獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119764870B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510270403.6，技術領域涉及：H01Q17/00；該發明授權一種基于ITO電阻損耗的寬帶極化不敏感太赫茲吸波材料是由郝亞峰;劉美宏;李騰騰;朱璞;武慧佳;馬富鵬;雷程;梁庭設計研發完成，并于2025-03-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于ITO電阻損耗的寬帶極化不敏感太赫茲吸波材料在說明書摘要公布了：本發明的目的在于提供一種基于ITO電阻損耗的寬帶極化不敏感太赫茲吸波材料，屬于太赫茲吸波材料技術領域，旨在解決現有太赫茲吸波材料在寬頻吸收能力、斜入射角適應性、極化不敏感性及結構輕量化等方面的不足。所述吸波材料，從上至下依次包括四層由ITO貼片單元組成的ITO電阻損耗層，每層ITO電阻損耗層粘附在PET雙面膠層上，并通過PS泡沫介質層進行分割。該結構實現了極化不敏感特性，消除了現有吸波材料對極化角度依賴的問題。

本發明授權一種基于ITO電阻損耗的寬帶極化不敏感太赫茲吸波材料在權利要求書中公布了：1.一種基于ITO電阻損耗的寬帶極化不敏感太赫茲吸波材料，其特征在于：所述吸波材料可實現0.84~7.1THz大范圍內大于90%吸收率；所述吸波材料從上至下依次包括四層由導電材料ITO貼片單元組成的ITO電阻損耗層，每層ITO電阻損耗層粘附在介電材料PET雙面膠層上，并通過介電材料PS泡沫介質層進行分割；位于最上層的ITO電阻損耗層的ITO貼片單元采用橫向和豎向各兩個的四方塊狀圖案設計，貼片間距為O2，貼片的寬度為L3；從上至下的第二層的ITO電阻損耗層的ITO貼片單元為方形環狀結構，由邊長為L2的正方形去除中間邊長為O1的正方形構成；從上至下的第三層的ITO電阻損耗層的ITO貼片單元采用邊長為L1的正方形連續平面結構；最底層的ITO電阻損耗層的ITO貼片單元為邊長為P的正方形，為整個吸波材料件的反射層，接近理想導體；所述介電材料PET雙面膠層的介電常數為2.62，損耗角正切0.014；介電材料PS泡沫介質層的介電常數1.1，損耗角正切0.018；從上至下，ITO電阻損耗層的方阻依次為200Ω、220Ω、230Ω、150Ω；P=50μm，L1=49μm，L2=43μm，L3=17.5μm，O1=10μm，O2=8μm；介電材料PS泡沫介質層的厚度為12.5μm，PET雙面膠層的厚度為1μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中北大學，其通訊地址為：030051 山西省太原市尖草坪區學院路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。