恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司李志林獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113496993B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010252539.1，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由李志林設計研發完成，并于2020-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及半導體結構的形成方法，其中，半導體結構包括：襯底，所述襯底包括器件區，所述器件區包括若干第一區，以及位于相鄰第一區之間的第二區，所述第一區和第二區沿第一方向排布；位于所述器件區上的第一互連結構，所述第一互連結構包括若干沿第二方向延伸的第一互連層和第二互連層，在所述第二方向上，所述第一互連層的長度大于所述第二互連層的長度，所述第一方向與所述第二方向互相垂直；位于所述第一互連結構上的若干第三互連層，在所述第二方向上，所述第三互連層的長度大于所述第二互連層的長度。從而，提高了半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底包括器件區，所述器件區包括若干第一區，以及位于相鄰第一區之間的第二區，所述第一區和第二區沿第一方向排布；位于所述器件區上的第一互連結構，所述第一互連結構與所述器件區的電路電互連，所述第一互連結構包括若干沿第二方向延伸的第一互連層和第二互連層，所述第一互連層和所述第二互連層位于同層，所述第一互連層位于第一區上，所述第二互連層位于所述第二區上，在所述第二方向上，所述第一互連層的長度大于所述第二互連層的長度，所述第一方向與所述第二方向互相垂直；位于所述第一互連結構上的若干第三互連層，并且，所述第三互連層位于所述第二區上，所述第三互連層與所述第二互連層電互連，在所述第二方向上，所述第三互連層的長度大于所述第二互連層的長度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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