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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體元件以及量測半導體元件的溫度的方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112687560B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-05-20發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010115346.1，技術領域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權半導體元件以及量測半導體元件的溫度的方法是由康伯堅;周文昇;彭永州設計研發(fā)完成，并于2020-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體元件以及量測半導體元件的溫度的方法在說明書摘要公布了：一種監(jiān)控半導體元件溫度的裝置包括多個有源區(qū)域結構。一或多個有源元件包括多個有源區(qū)域結構的各部分。金屬層形成在該多個有源區(qū)域結構上，并且通過一或多個虛擬柵極層與該一或多個有源元件分開。該金屬層用以量測由于該金屬層中的電阻變化而導致的所述多個有源區(qū)域結構的溫度。

本發(fā)明授權半導體元件以及量測半導體元件的溫度的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件，其特征在于，包括：一第一虛擬柵極層；一第二虛擬柵極層；復數(shù)個有源區(qū)域結構，該些有源區(qū)域結構在該第一虛擬柵極層與該第二虛擬柵極層之間延伸；一第一金屬層，該第一金屬層在該些有源區(qū)域結構上；一第一有源元件，包括在該第一虛擬柵極層與該第一金屬層之間的該些有源區(qū)域結構的多個部分，該第一有源元件包括：一漏極金屬層，該漏極金屬層在該些有源區(qū)域結構上并且在該第一虛擬柵極層與該第一金屬層之間；以及一第一有源柵極層，該第一有源柵極層覆蓋在該漏極金屬層與該第一金屬層之間的該些有源區(qū)域結構上；以及一第二有源元件，包括在該第一金屬層與該第二虛擬柵極層之間的該些有源區(qū)域結構的多個部分，該第二有源元件包括：一源極金屬層，該源極金屬層在該第一金屬層與該第二虛擬柵極層之間的該些有源區(qū)域結構上；以及一第二有源柵極層，該第二有源柵極層覆蓋在該第一金屬層與該源極金屬層之間的該些有源區(qū)域結構上，其中該第一有源元件和該第二有源元件串聯(lián)耦合，且該第一有源元件的該第一有源柵極層用以感測該些有源區(qū)域結構的一溫度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。