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龍圖騰網獲悉深圳邁睿智能科技有限公司申請的專利高增益微波多普勒探測模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111290036B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010219469.X，技術領域涉及：G01V3/12；該發明授權高增益微波多普勒探測模塊是由鄒高迪;鄒新設計研發完成，并于2020-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本高增益微波多普勒探測模塊在說明書摘要公布了：本發明提供一種高增益微波多普勒探測模塊，其中所述高增益微波多普勒探測模塊包括一電磁反射面和與所述電磁反射面相間隔地被設置的至少一對對偶耦合極子，其中一對所述對偶耦合極子具有一第一饋電端和一第二饋電端并自兩所述饋電端分別延伸有一第一輻射源極和一第二輻射源極，其中所述第一饋電端和所述第二饋電端相互靠近，并當所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別于相應所述饋電端被同一激勵信號饋源饋電時，所述第一輻射源極和所述第二輻射源極的電流與電位分布能夠以所述第一饋電端和所述第二饋電端的連線的中點呈對偶分布狀態而以對偶方式耦合，降低了對所述高增益微波多普勒探測模塊的尺寸要求，并能夠避免形成探測死區。

本發明授權高增益微波多普勒探測模塊在權利要求書中公布了：1.一高增益微波多普勒探測模塊，其特征在于，包括：至少一對對偶耦合極子，其中一對所述對偶耦合極子包括一第一輻射源極和一第二輻射源極，其中所述第一輻射源極具有一第一饋電端并被設置為以所述第一饋電端為端延伸的導體，其中所述第二輻射源極具有一第二饋電端并被設置為所述第二饋電端為端延伸的導體，其中所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別適于在所述第一饋電端和所述第二饋電端被同一激勵信號饋源饋電，其中所述第一饋電端和所述第二饋電端在小于等于λ32的距離范圍內相互靠近，其中λ為與該激勵信號饋源的饋電信號頻率相對應的波長參數，其中所述第一輻射源極被設置滿足自所述第一饋電端具有大于等于λ16且小于等于λ的線長，其中所述第二輻射源極被設置滿足自所述第二饋電端具有大于等于λ16且小于等于λ的線長，如此以當所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別于所述第一饋電端和所述第二饋電端被同一激勵信號饋源饋電時，所述第一輻射源極和所述第二輻射源極的電流和電位分布能夠以所述第一饋電端和所述第二饋電端的連線的中點呈對偶分布狀態，從而使得所述第一輻射源極自所述第一饋電端沿所述第一輻射源極對應耦合于所述第二輻射源極的自所述第二饋電端沿所述第二輻射源極的相應位置；和一電磁反射面，其中所述對偶耦合極子于所述電磁反射面所對應的空間與所述電磁反射面相間隔地被設置，其中所述第一饋電端和所述第二饋電端的連線的中點與所述電磁反射面之間的距離滿足大于等于λ32且小于等于λ2，其中所述第一輻射源極的與所述第一饋電端相對的一端相對于所述第一饋電端靠近所述電磁反射面，所述第二輻射源極的與所述第二饋電端相對的一端相對于所述第二饋電端靠近所述電磁反射面，其中所述第一輻射源極和所述第二輻射源極在垂直于所述電磁反射面方向均具有大于等于λ32且小于等于λ4的尺寸。

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