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龍圖騰網(wǎng)恭喜硅存儲(chǔ)技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)的專利具有擴(kuò)展的源極線FINFET的基于FINFET的分裂柵極非易失性閃存存儲(chǔ)器及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113169174B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980079700.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)具有擴(kuò)展的源極線FINFET的基于FINFET的分裂柵極非易失性閃存存儲(chǔ)器及其制造方法是由S·喬爾巴;C·德科貝爾特;周鋒;金珍浩;X·劉;N·多設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-08-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本具有擴(kuò)展的源極線FINFET的基于FINFET的分裂柵極非易失性閃存存儲(chǔ)器及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：存儲(chǔ)器單元形成在半導(dǎo)體襯底上，該半導(dǎo)體襯底具有上表面，該上表面具有多個(gè)向上延伸的鰭。第一鰭和第二鰭在一個(gè)方向上延伸，并且第三鰭在正交方向上延伸。間隔開(kāi)的源極區(qū)和漏極區(qū)形成在該第一鰭和該第二鰭中的每者中，從而在該第一鰭和該第二鰭中的每者中限定在其間延伸的溝道區(qū)。該源極區(qū)設(shè)置在該第三鰭與該第一鰭和該第二鰭之間的相交部處。浮動(dòng)?xùn)艠O側(cè)向設(shè)置在該第一鰭和該第二鰭之間，并且側(cè)向設(shè)置成與該第三鰭相鄰，并且沿著該溝道區(qū)的第一部分延伸。字線柵極沿著該溝道區(qū)的第二部分延伸?？刂茤艠O設(shè)置在該浮動(dòng)?xùn)艠O上方。擦除柵極設(shè)置在該源極區(qū)和該浮動(dòng)?xùn)艠O上方。

本發(fā)明授權(quán)具有擴(kuò)展的源極線FINFET的基于FINFET的分裂柵極非易失性閃存存儲(chǔ)器及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲(chǔ)器設(shè)備，所述存儲(chǔ)器設(shè)備包括： 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有上表面，所述上表面具有多個(gè)向上延伸的鰭，其中所述鰭中的每個(gè)鰭包括彼此相對(duì)并且終止于頂表面的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面； 所述多個(gè)鰭中的第一鰭具有在第一方向上延伸的長(zhǎng)度； 所述多個(gè)鰭中的第二鰭具有在所述第一方向上延伸的長(zhǎng)度； 所述多個(gè)鰭中的第三鰭具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的長(zhǎng)度； 存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包括： 第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)，所述第一源極區(qū)和所述第一漏極區(qū)在所述第一鰭中間隔開(kāi)，其中所述第一鰭的第一溝道區(qū)沿著所述第一鰭的所述頂表面和所述相對(duì)的側(cè)表面在所述第一源極區(qū)和所述第一漏極區(qū)之間延伸，其中所述第一源極區(qū)設(shè)置在所述第一鰭和所述第三鰭的相交部處， 第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)，所述第二源極區(qū)和所述第二漏極區(qū)在所述第二鰭中間隔開(kāi)，其中所述第二鰭的第二溝道區(qū)沿著所述第二鰭的所述頂表面和所述相對(duì)的側(cè)表面在所述第二源極區(qū)和所述第二漏極區(qū)之間延伸，其中所述第二源極區(qū)設(shè)置在所述第二鰭和所述第三鰭的相交部處， 浮動(dòng)?xùn)艠O，所述浮動(dòng)?xùn)艠O側(cè)向設(shè)置在所述第一鰭和所述第二鰭之間并與所述第一鰭和所述第二鰭絕緣，并且側(cè)向設(shè)置成與所述第三鰭相鄰并與所述第三鰭絕緣，其中所述浮動(dòng)?xùn)艠O沿著所述第一溝道區(qū)的第一部分和所述第二溝道區(qū)的第一部分延伸并與所述第一溝道區(qū)的第一部分和所述第二溝道區(qū)的第一部分絕緣， 字線柵極，所述字線柵極沿著所述第一溝道區(qū)的第二部分和所述第二溝道區(qū)的第二部分延伸并與所述第一溝道區(qū)的第二部分和所述第二溝道區(qū)的第二部分絕緣， 控制柵極，所述控制柵極設(shè)置在所述浮動(dòng)?xùn)艠O上方并且與所述浮動(dòng)?xùn)艠O絕緣，和 擦除柵極，所述擦除柵極包括第一部分和第二部分，所述第一部分設(shè)置在所述第一源極區(qū)和所述第二源極區(qū)上方并且與所述第一源極區(qū)和所述第二源極區(qū)絕緣，所述第二部分設(shè)置在所述浮動(dòng)?xùn)艠O上方并且與所述浮動(dòng)?xùn)艠O絕緣。

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