恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司丁姮彣獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110957369B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910923807.5，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體裝置的形成方法是由丁姮彣;陳科維;李啟弘;鄭培仁;宋學昌;李彥儒;林俊安設計研發完成，并于2019-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體裝置的形成方法包括蝕刻半導體鰭片以形成凹槽；以及形成源極漏極區域于凹槽之中，形成源極漏極區域包括：在600℃至800℃的溫度下外延成長第一半導體材料于凹槽之中，第一半導體材料包括摻雜的硅鍺；以及在300℃至600℃的溫度下順應性地沉積第二半導體材料于第一半導體材料之上，第二半導體材料包括摻雜的硅鍺且與第一半導體材料具有不同的組成。
本發明授權半導體裝置的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的形成方法，包括： 蝕刻一或多個半導體鰭片以形成一或多個凹槽；以及 形成源極漏極區域于該一或多個凹槽之中，其中形成該源極漏極區域包括： 在600℃至800℃的一溫度下外延成長一第一半導體材料于該一或多個凹槽之中，該第一半導體材料包括摻雜的硅鍺；以及 外延成長一第二半導體材料于該第一半導體材料上，該第二半導體材料包括摻雜的硅鍺且與該第一半導體材料具有一不同的組成； 在300℃至600℃的一溫度下順應性地沉積一第三半導體材料于該第二半導體材料之上，該第三半導體材料包括摻雜的硅鍺且與該第二半導體材料具有一不同的組成，其中沉積該第三半導體材料的步驟包括： 順應性沉積一第一半導體層于該第二半導體材料上并接觸該第二半導體材料；以及 在沉積該第一半導體層時，輸送一蝕刻氣體， 順應性沉積一第四半導體材料于該第三半導體材料上，該第四半導體材料包括摻雜的硅鍺且與該第三半導體材料具有一不同的組成，其中該第一半導體材料的最頂點低于該第三半導體材料的最底點與該第四半導體材料的最底點，且其中該第一半導體材料、該第二半導體材料、該第三半導體材料、與該第四半導體材料包括晶面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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