恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳憲偉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112086423B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910822039.4,技術領域涉及:H01L23/485;該發明授權半導體結構及其制造方法是由陳憲偉;楊慶榮;陳潔設計研發完成,并于2019-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了:一種半導體結構,包括襯底、內連結構、焊盤、保護層以及接合結構。內連結構設置在襯底之上。焊盤設置在內連結構之上且電連接到內連結構。焊盤的頂表面具有探針標記且探針標記具有凹表面。保護層共形地覆蓋焊盤的頂表面及探針標記。接合結構設置在保護層之上。接合結構包括接合介電層及第一接合金屬層,第一接合金屬層穿透接合介電層及保護層以電連接到焊盤。還提供一種制造半導體結構的方法。
本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構,包括: 內連結構,設置在襯底之上; 焊盤,設置在所述內連結構之上且電連接到所述內連結構,其中所述焊盤的頂表面具有探針標記且所述探針標記具有凹表面; 保護層,共形地覆蓋所述焊盤的所述頂表面及所述探針標記;以及 接合結構,設置在所述保護層之上,其中所述接合結構包括接合介電層及第一接合金屬層,所述第一接合金屬層穿透所述接合介電層及所述保護層以電連接到所述焊盤; 鈍化層,設置在所述焊盤與所述內連結構之間以及所述接合結構與所述內連結構之間;以及 第二接合金屬層,位于所述焊盤旁邊,其中所述第二接合金屬層穿透所述接合介電層、所述保護層及所述鈍化層以電連接到所述內連結構。
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