買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111446228B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910040653.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/538；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由請求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-01-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件具備：第一介電質(zhì)層，其沉積在半導(dǎo)體襯底上；第二介電質(zhì)層，其沉積在所述第一介電質(zhì)層上；接觸孔，分別對所述第一介電質(zhì)層和所述第二介電質(zhì)層進(jìn)行蝕刻而形成，具有高深寬比，且具有垂直輪廓或者正面輪廓；第一金屬層，其沉積在所述接觸孔中；阻擋層，其形成在沉積了所述第一金屬層的所述接觸孔的上方；以及第二金屬層，其沉積在所述阻擋層上。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備： 第一介電質(zhì)層，其沉積在半導(dǎo)體襯底上； 第二介電質(zhì)層，其沉積在所述第一介電質(zhì)層上； 接觸孔，分別對所述第一介電質(zhì)層和所述第二介電質(zhì)層進(jìn)行蝕刻而形成，與所述襯底連接，具有高深寬比，且具有垂直輪廓或者正面輪廓； 第一金屬層，其沉積在所述接觸孔中； 阻擋層，其形成在沉積了所述第一金屬層的所述接觸孔的上方；以及 第二金屬層，其沉積在所述阻擋層上； 其中，所述高深寬比為深寬比大于10； 所述第一介電質(zhì)層的濕蝕刻速率比大于所述第二介電質(zhì)層的濕蝕刻速率比。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。