恭喜蘇州晶湛半導體有限公司程凱獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜蘇州晶湛半導體有限公司申請的專利半導體結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114616678B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980101639.X，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權半導體結構及其制作方法是由程凱設計研發完成，并于2019-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構及其制作方法，半導體結構中，異質結上形成有原位絕緣層，原位絕緣層中具有凹槽，在凹槽內以及原位絕緣層上具有過渡層，過渡層上的柵極區域形成有p型半導體層。過渡層利于工藝中p型半導體層在凹槽外形成。原位絕緣層與過渡層可以減小器件中溝道泄漏到柵極形成的柵泄漏電流，因而異質結中的勢壘層的厚度可以較小，從而可以提高閾值電壓；此外，由于原位絕緣層的設置，可減小方塊電阻，增加二維電子氣的濃度，提高了柵極對溝道的控制能力，提升工作電流。
本發明授權半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 自下而上分布的半導體襯底10、異質結11以及原位絕緣層12； 貫穿所述原位絕緣層12的凹槽13；位于所述凹槽13內以及所述原位絕緣層12上的過渡層14； 位于所述過渡層14上的柵極區域的p型半導體層15a，所述p型半導體層15a未填滿所述凹槽13； 其中，所述原位絕緣層12的材料包括：SiN、SiAlN中的至少一種；和或所述過渡層14的材料包括：AlN、AlGaN中的至少一種；和或所述p型半導體層15a為AlN、GaN、AlGaN、AlInGaN中的至少一種； 其中，所述原位絕緣層12和所述過渡層14均采用原位生長工藝形成； 其中，所述過渡層14完全覆蓋所述原位絕緣層12的上表面，所述過渡層14設置為避免所述p型半導體層15a在所述原位絕緣層12上的選擇性生長，和防止所述原位絕緣層12中原子擴散到所述p型半導體層15a中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶湛半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號西北區20幢517-A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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