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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京機(jī)械設(shè)備研究所申請(qǐng)的專利驅(qū)動(dòng)電壓和電阻可調(diào)的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114499113B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011263085.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權(quán)驅(qū)動(dòng)電壓和電阻可調(diào)的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路是由胡西紅;秦東東;吳元元;袁紅升設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-12向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本驅(qū)動(dòng)電壓和電阻可調(diào)的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電壓和電阻可調(diào)的SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路，屬于SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)難以同時(shí)保證高增益、結(jié)構(gòu)簡單、高穩(wěn)定性、高效率的問題。該變換器包括控制芯片、SiCMOSFET器件、電源VG1～VG2、開關(guān)管S1～S6，電阻RG1～RG2；其中，控制芯片，用于輸出開關(guān)管S1～S6控制信號(hào)至開關(guān)管S1～S6的柵極；開關(guān)管S1、S2的漏極分別與電源VG1的正極連接；開關(guān)管S3～S5的漏極分別與電源VG1的負(fù)極、電源VG2的負(fù)極連接，并接地；開關(guān)管S6的漏極與電源VG2的正極連接；并且，開關(guān)管S1、S3的源極分別經(jīng)電阻RG1與SiCMOSFET器件的柵極連接，開關(guān)管S2、S4的源極分別經(jīng)電阻RG2與SiCMOSFET器件的柵極連接；開關(guān)管S5、S6的源極與SiCMOSFET器件的源極連接。該電路能夠保證SiCMOSFET器件安全可靠運(yùn)行。

本發(fā)明授權(quán)驅(qū)動(dòng)電壓和電阻可調(diào)的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種驅(qū)動(dòng)電壓和電阻可調(diào)的SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，包括控制芯片、SiCMOSFET器件、電源VG1～VG2、開關(guān)管S1～S6，電阻RG1～RG2；其中，電阻值RG1＜RG2，電源電壓VG1＞VG2； 控制芯片，用于輸出開關(guān)管S1～S6控制信號(hào)至開關(guān)管S1～S6的柵極； 開關(guān)管S1、S2的漏極分別與電源VG1的正極連接；開關(guān)管S3～S5的漏極分別與電源VG1的負(fù)極、電源VG2的負(fù)極連接，并接地；開關(guān)管S6的漏極與電源VG2的正極連接；并且， 開關(guān)管S1、S3的源極分別經(jīng)電阻RG1與SiCMOSFET器件的柵極連接，開關(guān)管S2、S4的源極分別經(jīng)電阻RG2與SiCMOSFET器件的柵極連接；開關(guān)管S5、S6的源極與SiCMOSFET器件的源極連接。

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