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龍圖騰網恭喜英利能源發展有限公司申請的專利N型TOPCon電池的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119923017B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510405295.9，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權N型TOPCon電池的制備方法是由于波;馬紅娜;王紅芳;王子謙;潘明翠;趙學玲;郎芳;翟金葉;孟慶超;史金超;閆美楠;尹麗麗;李永康設計研發完成，并于2025-04-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本N型TOPCon電池的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種N型TOPCon電池的制備方法，包括S100、在硅片形成絨面結構；S200、在硅片形成PN結；S300、在硅片生長隧穿氧化層和poly?si層；S400、在硅片進行磷擴散，然后進行清洗；S500、對硅片進行劃片并裂片，得到多個硅片切片；S600、在硅片切片的正面和切割面進行氧化鋁沉積；S700、在硅片切片的正面和切割面進行氮化硅沉積；S800、在硅片切片的背面和切割面進行氮化硅沉積；S900、對硅片切片進行金屬化處理。本發明提供的N型TOPCon電池的制備方法，旨在解決現有技術中切片后需要采用高精度鈍化設備對切割面鈍化處理，造成生產成本增加的問題。

本發明授權N型TOPCon電池的制備方法在權利要求書中公布了：1.N型TOPCon電池的制備方法，其特征在于，包括： S100、通過化學腐蝕或激光制絨的方法，在硅片的正面和背面分別形成絨面結構，增加光的吸收效率； S200、采用硼擴散工藝在所述硅片的正面形成PN結，然后對所述硅片的正面和背面進行清洗； S300、在所述硅片的背面生長隧穿氧化層和poly-si層； S400、在所述硅片形成隧穿氧化層和poly-si層的一面進行磷擴散，然后對所述硅片進行清洗； S500、對所述硅片進行劃片并裂片，得到多個硅片切片； S600、在所述硅片切片的正面和切割面分別進行氧化鋁沉積； S700、在所述硅片切片的正面和切割面分別進行氮化硅沉積； S800、在所述硅片切片的背面和切割面分別進行氮化硅沉積； S900、對所述硅片切片進行金屬化處理； S600具體包括： S610、在所述硅片切片的正面和切割面均沉積氧化硅，形成氧化硅層； S620、在所述硅片切片的氧化硅層上沉積氧化鋁，使所述硅片切片的正面和切割面分別形成第一氧化鋁層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英利能源發展有限公司，其通訊地址為：071051 河北省保定市朝陽北大街3399號5號廠房227室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。