恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司蔡昕翰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利金屬柵極調制器及其原位形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113224006B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011480755.8，技術領域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權金屬柵極調制器及其原位形成方法是由蔡昕翰;吳仲強;洪正隆;張文;徐志安設計研發(fā)完成，并于2020-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本金屬柵極調制器及其原位形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及金屬柵極調制器及其原位形成方法。一種方法，包括：在半導體區(qū)域上形成柵極電介質；在柵極電介質之上沉積功函數層；在功函數層之上沉積硅層；以及在硅層之上沉積膠層。功函數層、硅層和膠層是原位沉積的。該方法進一步包括在膠層之上沉積填充金屬；以及執(zhí)行平坦化工藝，其中，膠層、硅層和功函數層的剩余部分形成柵極電極的部分。
本發(fā)明授權金屬柵極調制器及其原位形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成集成電路器件的方法，包括： 在第一半導體區(qū)域上形成第一柵極電介質； 在所述第一柵極電介質之上沉積第一功函數層； 在所述第一功函數層之上沉積第一硅層； 在所述第一硅層之上沉積第一膠層，其中，所述第一功函數層、所述第一硅層和所述第一膠層是原位沉積的； 在所述第一膠層之上沉積第一填充金屬；以及 執(zhí)行平坦化工藝，其中，所述第一膠層、所述第一硅層和所述第一功函數層的剩余部分形成柵極電極的部分， 其中，所述第一硅層和所述第一膠層之間的界面不含氧，其中，所述第一硅層是導電層，并且其中，所述第一膠層包括氮化鈦或氮化鉭。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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