買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜英飛凌科技德累斯頓公司申請的專利接觸孔獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110021666B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811562679.8，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權接觸孔是由T.貝特拉姆斯;M.斯特格曼;A.蒂爾克;S.韋伯設計研發完成，并于2018-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本接觸孔在說明書摘要公布了：功率半導體器件包括：具有半導體主體和絕緣層的功率半導體部分構造，絕緣層布置在半導體主體的頂側上，其中在絕緣層的頂側上布置至少一個接觸孔，其從絕緣層的頂側出發至少部分地在絕緣層之內延伸并且被設置用于電接觸在絕緣層的頂側之下的接觸區域。該功率半導體器件還包括：附著力促進劑層，其被布置在功率半導體部分構造的頂側上并且至少部分地覆蓋絕緣層的頂側和接觸孔的表面；包括鎢的層，其布置在附著力促進劑層上并且至少部分地覆蓋附著力促進劑層，并且其在接觸孔的區域內具有第一厚度，第一厚度如此安排，使得包括鎢的層填充接觸孔，并且其在絕緣層的頂側的區域內具有第一厚度的第二厚度；和連接層，其被布置在包括鎢的層上。

本發明授權接觸孔在權利要求書中公布了：1.功率半導體器件200；400，其中所述功率半導體器件包括： -功率半導體部分構造210，220；410，420，所述功率半導體部分構造具有半導體主體210，310和絕緣層220；420，所述絕緣層布置在所述半導體主體210；410的頂側上，其中在所述絕緣層220；420的頂側221；421上布置至少一個接觸孔230；330，所述接觸孔從所述絕緣層220；420的所述頂側221；421出發至少部分地在所述絕緣層220；420之內延伸并且所述接觸孔被設置用于電接觸在所述絕緣層220；420的所述頂側221；421之下的接觸區域260；360； -附著力促進劑層242；442，所述附著力促進劑層被布置在所述功率半導體部分構造210，220；410，420的頂側上并且至少部分地覆蓋所述絕緣層220；420的所述頂側221；421和所述接觸孔230；330的表面； -包括鎢的層244；444，所述包括鎢的層被布置在所述附著力促進劑層242；442上并且至少部分地覆蓋所述附著力促進劑層242；442，并且所述包括鎢的層在所述接觸孔230；330的區域內具有第一厚度D1，所述第一厚度如此安排，使得所述包括鎢的層244；444填充所述接觸孔230；330，并且所述包括鎢的層在所述絕緣層220；420的所述頂側221；421的區域內部分地被移除，使得所述包括鎢的層的剩余部分具有第二厚度D2，所述第二厚度小于所述第一厚度D1，其中所述第一厚度D1是所述接觸孔的垂直中心線距所述附著力促進劑層的水平距離并且所述第二厚度D2是所述剩余部分地垂直高度；和 -連接層250；450，所述連接層被布置在所述包括鎢的層244；444上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技德累斯頓公司，其通訊地址為：德國德累斯頓坤斯布可街180號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。