恭喜中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司湯明明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司申請的專利光纖及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111323871B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811527691.5，技術領域涉及：G02B6/036；該發明授權光纖及其制備方法是由湯明明;錢宜剛;沈一春;何亮;秦鈺;吳椿烽設計研發完成，并于2018-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本光纖及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種光纖及其制備方法，涉及光通信技術領域，其中光纖包括由內而外依次包括單摻鍺二氧化硅芯層、隔斷層、單摻氟二氧化硅光學包層及外包層，所述隔斷層用于防止單摻鍺二氧化硅芯層中鍺和單摻氟二氧化硅光學包層中氟相互擴散；其中所述單摻氟二氧化硅光學包層分為三層，從內到外依次為淺摻氟層、主摻氟層及輔摻氟層，所述淺摻氟層及輔摻氟層的折射率均大于所述主摻氟層的折射率。通過單摻氟二氧化硅光學包層的分層設置，使SiO2內摻氟的量在半徑方向有一個濃度逐漸變化的過程，這種變化的過程可以使光纖截面粘度沿半徑方向呈逐漸變化的趨勢，這種結構可以在得到光纖低宏彎損耗的情況下降低光纖應力的產生，得到低損耗低彎曲損耗光纖。
本發明授權光纖及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光纖，其特征在于：由內而外依次包括單摻鍺二氧化硅芯層、隔斷層、單摻氟二氧化硅光學包層及外包層，所述隔斷層用于防止單摻鍺二氧化硅芯層中鍺和單摻氟二氧化硅光學包層中氟相互擴散；其中所述單摻氟二氧化硅光學包層分為三層，從內到外依次為淺摻氟層、主摻氟層及輔摻氟層，所述淺摻氟層及輔摻氟層的折射率均大于所述主摻氟層的折射率； 所述隔斷層、所述淺摻氟層、所述主摻氟層及所述輔摻氟層中相鄰的每兩層之間的折射率漸變變化，并控制每1μm內的折射率變化為0.03%~0.05%。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司，其通訊地址為：226009 江蘇省南通市開發區中天路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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