恭喜北京屹唐半導體科技股份有限公司;瑪特森技術公司龍茂林獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京屹唐半導體科技股份有限公司;瑪特森技術公司申請的專利等離子體處理裝置的柵組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695055B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111587544.9，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權等離子體處理裝置的柵組件是由龍茂林設計研發完成，并于2021-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本等離子體處理裝置的柵組件在說明書摘要公布了：本公開提供了一種用于將工藝氣體注入腔室的柵組件。柵組件包括用于將工藝氣體輸送到柵組件的氣體入口、豎直延伸通過柵組件的至少一部分的多個噴嘴以及豎直堆疊布置的多個層。多個層包括：頂層，包括被配置為從氣體入口接收工藝氣體的一個或多個內部氣體注入通道；底層，包括具有一個或多個注入孔口的多個內部氣體注入通道，該注入孔口被配置為將水平面附近的工藝氣體輸送至多個噴嘴中的一個或多個噴嘴；以及一個或多個子層，被設置在頂層和底層之間，一個或多個子層中的每個子層包括隨著一個或多個子層從頂層前進至底層而數量增加的內部氣體注入通道。本公開還提供了等離子處理裝置和處理工件的方法。
本發明授權等離子體處理裝置的柵組件在權利要求書中公布了：1.一種用于將工藝氣體注入腔室的柵組件，包括：氣體入口，用于將所述工藝氣體輸送到所述柵組件；多個噴嘴，豎直延伸貫通整個所述柵組件；以及多個層，豎直堆疊布置，所述多個層包括：頂層，包括被配置為從所述氣體入口接收工藝氣體的一個或多個內部氣體注入通道；底層，包括具有一個或多個注入孔口的多個內部氣體注入通道，所述注入孔口被配置為將水平面附近的所述工藝氣體輸送至所述多個噴嘴中的一個或多個噴嘴；以及多個子層，被設置在所述頂層和所述底層之間，所述多個子層中的每個子層包括隨著所述多個子層從所述頂層前進至所述底層而數量增加的內部氣體注入通道。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京屹唐半導體科技股份有限公司;瑪特森技術公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區經海二路28號8幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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