恭喜全智芯(上海)技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜全智芯(上海)技術有限公司申請的專利模擬光刻膠形貌的方法、設備和介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119535914B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510105891.5，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權模擬光刻膠形貌的方法、設備和介質是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2025-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本模擬光刻膠形貌的方法、設備和介質在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及模擬光刻膠形貌的方法、設備和介質。在此提出的方法包括：針對光刻膠的目標模擬區域處的多個光刻膠單元，確定與多個光刻膠單元對應的多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征；基于多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征，確定在顯影后目標模擬區域處的顯影液濃度分布和光刻膠濃度分布；以及基于顯影液濃度分布和光刻膠濃度分布，確定目標模擬區域處的光刻膠形貌。
本發明授權模擬光刻膠形貌的方法、設備和介質在權利要求書中公布了：1.一種模擬光刻膠形貌的方法，其特征在于，包括：針對光刻膠的目標模擬區域處的多個光刻膠單元，確定與所述多個光刻膠單元對應的多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征；基于所述多個顯影液濃度特征和所述多個光刻膠濃度特征，確定顯影過程中多個時間點上的顯影液濃度和光刻膠濃度；針對所述多個時間點中的當前時間點，響應于所述當前時間點上的顯影液濃度滿足收斂條件并且顯影過程達到設置時間，基于所述當前時間點上的顯影液濃度和光刻膠濃度，確定在顯影后所述目標模擬區域處的顯影液濃度分布和光刻膠濃度分布；以及通過比對所述光刻膠濃度分布和光刻膠材料濃度的臨界值，確定所述目標模擬區域處的光刻膠形貌。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人全智芯(上海)技術有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區環湖西二路888號C樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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