恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司劉志坤獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利一種半導體器件的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112652531B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910961897.7，技術領域涉及：H01L21/324；該發明授權一種半導體器件的形成方法是由劉志坤;董天化;袁俊;蘭啟明設計研發完成，并于2019-10-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件的形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供了一種半導體器件的形成方法。在本發明實施例中，在退火處理前，形成覆蓋所述有源區的保護層，能夠在退火過程中保護有源區，保護層能夠隔離有源區和氧氣，避免有源區中的硅和氧接觸在高溫下形成氣態的氧化硅而導致有源區中出現孔洞。因此，本發明實施例的半導體器件的形成方法能夠確保柵氧化層的完整性，提高半導體器件的耐壓性，進而能夠提高半導體器件的可靠性。
本發明授權一種半導體器件的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，所述方法用于制備耐高溫的高壓場效應晶體管，所述方法包括： 提供前端器件層，所述前端器件層包括有源區和淺溝槽隔離結構； 在所述有源區的預定區域進行離子注入，以形成阱區； 形成至少覆蓋所述有源區的保護層，所述保護層的材料為致密二氧化硅，以將所述有源區和外部氣體隔離，避免在后續退火處理中有源區中的硅與氧氣反應形成氣態的二氧化硅使有源區中出現孔洞； 對所述有源區進行退火處理。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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