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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利工藝角檢測方法及系統、設備、存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113327643B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010129523.1，技術領域涉及：G11C29/50；該發明授權工藝角檢測方法及系統、設備、存儲介質是由方佳斌;王穎倩;張歡設計研發完成，并于2020-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本工藝角檢測方法及系統、設備、存儲介質在說明書摘要公布了：一種工藝角檢測方法及系統、設備、存儲介質，工藝角檢測方法用于獲取SRAM單元器件的最差工藝角，SRAM單元器件包括上拉晶體管、下拉晶體管和傳輸門晶體管，包括：獲取多個SRAM單元器件的電性數據，且同一個SRAM單元器件中的上拉晶體管、下拉晶體管和傳輸門晶體管的電性數據構成一組第一數據組；利用多個第一數據組建立三維正態分布模型，三維正態分布模型的形狀為橢球體；從所述第一數據組中提取與所述橢球體的表面位置處相對應的多組待測數據組；對多組待測數據組進行仿真，獲得多個相對應的寫噪聲容限；提取多個寫噪聲容限中的最小值所對應的待測數據組，作為最差工藝角。本發明提高工藝角檢測的精準度。

本發明授權工藝角檢測方法及系統、設備、存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種工藝角檢測方法，用于獲取SRAM單元器件的最差工藝角，所述SRAM單元器件包括上拉晶體管、下拉晶體管和傳輸門晶體管，其特征在于，包括：獲取多個所述SRAM單元器件的電性數據，且同一個SRAM單元器件中的上拉晶體管、下拉晶體管和傳輸門晶體管的電性數據構成一組第一數據組；利用多組所述第一數據組建立三維正態分布模型，所述三維正態分布模型的形狀為橢球體，利用多個所述第一數據組建立三維正態分布模型的步驟包括：對所述多個SRAM單元器件，分別計算所述上拉晶體管、下拉晶體管和傳輸門晶體管的電性數據的平均值和標準差；對每一個所述SRAM單元器件，利用所述電性數據的平均值和標準差，分別計算所述上拉晶體管、下拉晶體管和傳輸門晶體管的電性數據的偏移程度值，所述偏移程度值為所述電性數據相對于平均值的偏移量與所述標準差的比值；利用所述偏移程度值，建立所述三維正態分布模型；從所述第一數據組中提取與所述橢球體的表面位置處相對應的多組待測數據組；對所述多組待測數據組進行仿真，獲得多個相對應的寫噪聲容限；提取所述多個寫噪聲容限中的最小值所對應的待測數據組，作為所述寫噪聲容限的最差工藝角。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：300380 天津市西青區西青經濟開發區興華道19號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。