恭喜華中科技大學(xué)童浩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜華中科技大學(xué)申請的專利基于相變材料的顯示器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN118884763B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202410960751.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G02F1/17;該發(fā)明授權(quán)基于相變材料的顯示器件是由童浩;譚青山;周啟沛;繆向水設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-07-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本基于相變材料的顯示器件在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種基于相變材料的顯示器件,該器件包括:寬帶吸收腔體結(jié)構(gòu),包括有損相變層和金屬層,所述有損相變層沉積在所述金屬層上,所述有損相變層為有損相變材料,金屬層由多層K值大于1的金屬組成;窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu),位于所述寬帶吸收腔體結(jié)構(gòu)之下,所述窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)包括第一窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)和第二窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu),所述第一窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)位于第二窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)之上;所述第一窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)包括無損相變層和位于所述無損相變層兩側(cè)的金屬層;所述第二窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層和位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層,所述無損相變層為無損相變材料。本發(fā)明實現(xiàn)透射和反射顏色相同、彩虹色現(xiàn)象弱和顏色可調(diào),角度不敏感的特性。
本發(fā)明授權(quán)基于相變材料的顯示器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種基于相變材料的顯示器件,其特征在于,包括:寬帶吸收腔體結(jié)構(gòu),包括有損相變層和金屬層,所述有損相變層沉積在所述金屬層上,所述有損相變層為K值在可見光區(qū)域大于1的有損相變材料,所述金屬層為Ag和Cr的雙層結(jié)構(gòu),所述金屬層的K值在可見光區(qū)域大于1,所述金屬層的厚度小于30nm,與所述有損相變材料在可見光區(qū)域共同構(gòu)成一個吸收率大于預(yù)設(shè)閾值的寬帶吸收體;窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu),位于所述寬帶吸收腔體結(jié)構(gòu)之下,所述窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)包括第一窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)和第二窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu),所述第一窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)位于第二窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)之上;所述第一窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)包括K值在可見光區(qū)域小于1的無損相變層和位于所述無損相變層兩側(cè)的金屬層;所述第二窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層和位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層,所述無損相變層為無損相變材料;所述窄帶吸收腔體結(jié)構(gòu)中的金屬層包括ITO、Ag、Au、Cr和W中的一種或多種K值在可見光部分大于1的金屬材料;所述無損相變材料包括SbS和或SbSe合金,其中各原子的百分比可調(diào)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人華中科技大學(xué),其通訊地址為:430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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