恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張田田獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447585B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910832664.7，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體器件的形成方法是由張田田;許增升;譚晶晶設計研發完成，并于2019-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件的形成方法，其形成方法包括：提供基底，所述基底上具有層間介質層；刻蝕所述層間介質層形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述基底表面；在所述接觸孔的底部和側壁上形成粘附層；采用選擇性生長法在所述粘附層的底部和側壁上形成金屬籽層；在所述金屬籽層上形成金屬層，所述金屬層填充滿所述接觸孔。本發明使得形成的金屬層與接觸孔之間具有較好的成形質量，保證形成的半導體器件具有良好的性能和良率。
本發明授權半導體器件的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有層間介質層； 刻蝕所述層間介質層形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述基底表面； 在所述接觸孔的底部和側壁上形成粘附層，所述粘附層的表面具有電荷和極性鍵； 采用選擇性生長法在所述粘附層的底部和側壁上形成金屬籽層，使得所述金屬籽層的表面具有大量的極性鍵或電荷，所述金屬籽層與所述粘附層表面性質相互吸引； 在所述金屬籽層上形成金屬層，所述金屬層填充滿所述接觸孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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