恭喜同和電子科技有限公司渡邊康弘獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜同和電子科技有限公司申請的專利III族氮化物半導體發光元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113169255B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980082293.3，技術領域涉及：H10H20/825；該發明授權III族氮化物半導體發光元件及其制造方法是由渡邊康弘設計研發完成，并于2019-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本III族氮化物半導體發光元件及其制造方法在說明書摘要公布了：提供兼顧高發光輸出和優異可靠性的III族氮化物半導體發光元件及其制造方法。基于本發明的III族氮化物半導體發光元件在基板上依次具備n型半導體層、發光層、p型AlGaN電子阻擋層、p型接觸層和p側反射電極，從前述發光層發出的光的發光中心波長為250nm以上且330nm以下，前述p型AlGaN電子阻擋層的Al組成比為0.40以上且0.80以下，前述p型接觸層的膜厚為10nm以上且50nm以下，且該p型接觸層具有Al組成比為0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接觸層。
本發明授權III族氮化物半導體發光元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種III族氮化物半導體發光元件，其特征在于，其在基板上依次具備n型半導體層、發光層、p型AlGaN電子阻擋層、p型接觸層和p側反射電極，從所述發光層發出的光的發光中心波長為250nm以上且280nm以下，所述p型AlGaN電子阻擋層的Al組成比為0.40以上且0.80以下，所述p型接觸層的膜厚為10nm以上且50nm以下，并且，該p型接觸層具有Al組成比為0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接觸層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人同和電子科技有限公司，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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