買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利CMOS圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112490255B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911223247.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)CMOS圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法是由高橋誠司;王銓中;楊敦年;施俊吉;黃益民設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本CMOS圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器和一種相關(guān)的形成方法，CMOS圖像傳感器具有將光電二極管與像素裝置分離的摻雜隔離結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，CMOS圖像傳感器具有將光電二極管與像素裝置分離的摻雜隔離結(jié)構(gòu)。光電二極管遠(yuǎn)離襯底的前側(cè)布置在襯底內(nèi)。像素裝置安置于上覆光電二極管的襯底的前側(cè)處且通過摻雜隔離結(jié)構(gòu)與光電二極管分離。相較于其中光電二極管的上部部分通常布置在襯底的前側(cè)的頂面處的先前圖像傳感器設(shè)計，現(xiàn)在光電二極管布置成遠(yuǎn)離頂面且為像素裝置留出更多空間。因此，較大像素裝置可布置在感測像素中，且可改進(jìn)較短溝道效應(yīng)和噪聲級。

本發(fā)明授權(quán)CMOS圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括： 襯底，具有第一摻雜類型且具有前側(cè)以及與所述前側(cè)相對的背側(cè)； 光電二極管摻雜區(qū)，具有與所述第一摻雜類型相對的第二摻雜類型且安置于所述襯底內(nèi)； 垂直轉(zhuǎn)移柵極電極，從所述襯底的所述前側(cè)垂直地延伸到所述襯底內(nèi)的第一位置且通過柵極介電質(zhì)與所述襯底分離； 摻雜垂直隔離區(qū)，沿著所述垂直轉(zhuǎn)移柵極電極垂直延伸； 連續(xù)摻雜的摻雜橫向隔離區(qū)，安置于所述光電二極管摻雜區(qū)上，與所述摻雜垂直隔離區(qū)直接接觸，并且沿著與所述垂直轉(zhuǎn)移柵極電極橫向相反的方向延伸； 像素裝置阱，安置于所述摻雜橫向隔離區(qū)上，其中所述像素裝置阱的摻雜濃度小于所述摻雜垂直隔離區(qū)的摻雜濃度；以及 像素裝置，安置于所述襯底的所述前側(cè)處的所述像素裝置阱上，所述像素裝置包括安置于所述襯底上方的柵極電極以及安置于所述襯底內(nèi)的一對源極漏極SD區(qū)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。