恭喜浙江晶科能源有限公司曾憲歡獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江晶科能源有限公司申請的專利太陽能電池的制備方法和太陽能電池獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119789611B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510278332.4，技術領域涉及：H10F77/30；該發(fā)明授權太陽能電池的制備方法和太陽能電池是由曾憲歡;汪益蘭;張寧;曾憲泳;劉永平;邱彥凱設計研發(fā)完成，并于2025-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本太陽能電池的制備方法和太陽能電池在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池。制備方法包括：提供硅基底，具有相對的正面和背面；在正面形成擴散層；在背面順序形成隧穿層和摻雜多晶硅層；在擴散層遠離硅基底的一側形成氧化鋁層；在氧化鋁層的表面形成氫處理層，氫處理層的材料包括Al?O?Al鍵；在氫處理層遠離氧化鋁層的一側形成減反射層；在背面和正面分別形成電極。通過本申請，解決了現有技術中氧化鋁鈍化膜層中容易氫富集而導致氧化鋁層被破壞的問題。
本發(fā)明授權太陽能電池的制備方法和太陽能電池在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：提供硅基底，具有相對的正面和背面；在所述正面形成擴散層；在所述背面順序形成隧穿層和摻雜多晶硅層；在所述擴散層遠離所述硅基底的一側形成氧化鋁層；在所述氧化鋁層的表面形成氫處理層，所述氫處理層的材料包括Al-O-Al鍵；在所述氫處理層遠離所述氧化鋁層的一側形成減反射層；在所述背面和所述正面分別形成電極；在所述氧化鋁層的表面形成氫處理層，包括：將具有所述氧化鋁層的所述硅基底放入第一反應室內；在不注入氧化劑的情況下，至少向所述第一反應室中注入一次三甲基鋁，形成所述氫處理層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江晶科能源有限公司，其通訊地址為：314400 浙江省嘉興市海寧市袁花鎮(zhèn)袁溪路58號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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