恭喜英飛凌科技股份有限公司R.西米尼克獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜英飛凌科技股份有限公司申請的專利碳化硅器件、半導(dǎo)體器件及用于形成它們的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111244164B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911202091.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)碳化硅器件、半導(dǎo)體器件及用于形成它們的方法是由R.西米尼克;T.艾興格;I.莫德;F.J.桑托斯羅德里格斯;H-J.舒爾策;C.馮科布林斯基設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本碳化硅器件、半導(dǎo)體器件及用于形成它們的方法在說明書摘要公布了：提供了碳化硅器件、半導(dǎo)體器件及用于形成它們的方法。碳化硅器件包括碳化硅襯底，所述碳化硅襯底包括晶體管單元的體區(qū)和源區(qū)。此外，碳化硅器件包括晶體管單元的碳化鈦柵電極。
本發(fā)明授權(quán)碳化硅器件、半導(dǎo)體器件及用于形成它們的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳化硅器件，包括：碳化硅襯底，包括晶體管單元的體區(qū)和源區(qū)；和晶體管單元的碳化鈦柵電極，接觸柵電極的柵金屬化部，其中晶體管單元的柵電極在不多于兩個位置處被柵金屬化部接觸，其中對于每個晶體管單元，碳化鈦柵電極僅在碳化鈦柵電極的端區(qū)處連接到柵金屬化結(jié)構(gòu)，并且其中碳化鈦柵電極的端區(qū)從碳化鈦柵電極的相應(yīng)橫向端部在相應(yīng)碳化鈦柵電極長度的至多10％上延伸。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人英飛凌科技股份有限公司，其通訊地址為：德國瑙伊比貝爾格市坎芘昂1-15號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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