恭喜應用材料公司康宋坤獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利減少DRAM字線中的柵極誘發的漏極泄漏獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111244093B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911122441.8，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權減少DRAM字線中的柵極誘發的漏極泄漏是由康宋坤;李智勇;柳尚澔;陳世忠;杰弗里·W·安西斯設計研發完成，并于2019-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本減少DRAM字線中的柵極誘發的漏極泄漏在說明書摘要公布了：描述了存儲器裝置和形成存儲器裝置的方法。所述存儲器裝置包括兩個功函數金屬層，其中一個功函數層具有比另一個功函數層低的功函數。低功函數層可以減少柵極誘發的漏極泄漏電流損耗。還描述了形成存儲器裝置的方法。
本發明授權減少DRAM字線中的柵極誘發的漏極泄漏在權利要求書中公布了：1.一種存儲器裝置，包括： 襯底，所述襯底具有襯底表面，所述襯底表面具有延伸到所述襯底中某個深度的多個溝槽，每個溝槽包括底部和側壁； 柵極氧化物層，所述柵極氧化物層在所述溝槽的所述底部和所述側壁上； 凹陷的金屬層，所述凹陷的金屬層在所述柵極氧化物層上，所述凹陷的金屬層包括第一功函數金屬層和體金屬層，所述凹陷的金屬層具有在所述溝槽的所述深度內的頂表面，所述第一功函數金屬層的頂表面和所述體金屬層的頂表面處于距所述襯底表面的相同深度；和 第二功函數金屬層，所述第二功函數金屬層在所述第一功函數金屬層和所述體金屬層上，其中所述第二功函數金屬層大體上不含多晶硅和或摻雜的多晶硅，并且所述第二功函數金屬層具有小于4.3eV的功函數。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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