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龍圖騰網獲悉新電元工業株式會社申請的專利半導體裝置以及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921597B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110636387.X，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法是由大谷欣也設計研發完成，并于2021-06-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發明的目的是提供一種能夠使組裝有半導體裝置的電力轉換電路小型化、并且能夠柔性地應用于各種電氣設備的緩沖電路內置型半導體裝置。本發明涉及的半導體裝置100包括：半導體基體110；源電極120；漏電極130；多個溝槽140；第一電極150，隔著分別形成在多個溝槽140的側壁上的柵極絕緣膜172配置在溝槽內；第二電極160，以與第一電極150隔開的狀態形成在第一電150極的上方；第一絕緣區域170；以及第二絕緣區域174，其中，溝槽140、第一電極150以及第二電極160從平面上看被形成為條紋狀，多個第二電極160中的至少任一個與漏電極130連接。

本發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：半導體基體，具有第一導電型的漂移層、形成在所述漂移層表面的第二導電型的基極區域、以及形成在所述基極區域表面的第一導電型的源極區域；源電極，形成在所述半導體基體的一個表面側；漏電極，形成在所述半導體基體的另一個表面側；多個溝槽，形成在所述半導體基體的一個表面，并具有與所述漂移層鄰接的底部、以及與所述漂移層、所述基極區域和所述源極區域鄰接的側壁；多個第一電極，隔著分別形成在所述多個溝槽的所述側壁上的柵極絕緣膜配置在所述溝槽內，并且其側面與所述基極區域相對；多個第二電極，以與所述第一電極隔開的狀態形成在各個所述第一電極的上方；第一絕緣區域，形成在所述溝槽的所述底部與所述第一電極之間，使所述第一電極與所述溝槽的所述底部隔開；以及第二絕緣區域，延展于所述第二電極與所述第一電極之間，使所述第二電極與所述第一電極隔開，并且延展于所述第二電極與所述溝槽的所述側壁之間，使所述第二電極與所述溝槽的所述側壁隔開，其中，所述溝槽、所述第一電極以及所述第二電極從平面上看被形成為條紋狀，多個所述第二電極中的至少任一個與所述漏電極連接，所述第二電極被配置在所述溝槽內，所述第一電極為柵電極，所述第二電極為緩沖電極，且被配置在隔著所述第二絕緣區域與所述源極區域相對的位置上，以形成將所述第二電極與所述源極區域之間的寄生電容作為電容器，將所述第二電極自身的內部電阻作為電阻的緩沖電路。

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