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龍圖騰網(wǎng)恭喜新電元工業(yè)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113921597B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110636387.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由大谷欣也設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明的目的是提供一種能夠使組裝有半導(dǎo)體裝置的電力轉(zhuǎn)換電路小型化、并且能夠柔性地應(yīng)用于各種電氣設(shè)備的緩沖電路內(nèi)置型半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置100包括：半導(dǎo)體基體110；源電極120；漏電極130；多個(gè)溝槽140；第一電極150，隔著分別形成在多個(gè)溝槽140的側(cè)壁上的柵極絕緣膜172配置在溝槽內(nèi)；第二電極160，以與第一電極150隔開的狀態(tài)形成在第一電150極的上方；第一絕緣區(qū)域170；以及第二絕緣區(qū)域174，其中，溝槽140、第一電極150以及第二電極160從平面上看被形成為條紋狀，多個(gè)第二電極160中的至少任一個(gè)與漏電極130連接。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：半導(dǎo)體基體，具有第一導(dǎo)電型的漂移層、形成在所述漂移層表面的第二導(dǎo)電型的基極區(qū)域、以及形成在所述基極區(qū)域表面的第一導(dǎo)電型的源極區(qū)域；源電極，形成在所述半導(dǎo)體基體的一個(gè)表面?zhèn)龋宦╇姌O，形成在所述半導(dǎo)體基體的另一個(gè)表面?zhèn)龋欢鄠€(gè)溝槽，形成在所述半導(dǎo)體基體的一個(gè)表面，并具有與所述漂移層鄰接的底部、以及與所述漂移層、所述基極區(qū)域和所述源極區(qū)域鄰接的側(cè)壁；多個(gè)第一電極，隔著分別形成在所述多個(gè)溝槽的所述側(cè)壁上的柵極絕緣膜配置在所述溝槽內(nèi)，并且其側(cè)面與所述基極區(qū)域相對(duì)；多個(gè)第二電極，以與所述第一電極隔開的狀態(tài)形成在各個(gè)所述第一電極的上方；第一絕緣區(qū)域，形成在所述溝槽的所述底部與所述第一電極之間，使所述第一電極與所述溝槽的所述底部隔開；以及第二絕緣區(qū)域，延展于所述第二電極與所述第一電極之間，使所述第二電極與所述第一電極隔開，并且延展于所述第二電極與所述溝槽的所述側(cè)壁之間，使所述第二電極與所述溝槽的所述側(cè)壁隔開，其中，所述溝槽、所述第一電極以及所述第二電極從平面上看被形成為條紋狀，多個(gè)所述第二電極中的至少任一個(gè)與所述漏電極連接，所述第二電極被配置在所述溝槽內(nèi)，所述第一電極為柵電極，所述第二電極為緩沖電極，且被配置在隔著所述第二絕緣區(qū)域與所述源極區(qū)域相對(duì)的位置上，以形成將所述第二電極與所述源極區(qū)域之間的寄生電容作為電容器，將所述第二電極自身的內(nèi)部電阻作為電阻的緩沖電路。

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