恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司周鳴獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112951981B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911267677.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由周鳴設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底內(nèi)具有導(dǎo)電層，且所述基底表面暴露出所述導(dǎo)電層表面；在所述基底內(nèi)形成與所述導(dǎo)電層相鄰的凹槽，且所述凹槽側(cè)壁暴露出所述導(dǎo)電層的側(cè)壁表面；在所述凹槽內(nèi)和所述導(dǎo)電層頂部表面形成下層電極層；在所述下層電極層表面形成磁隧道材料膜。所述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能得到提高。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基底，所述基底內(nèi)具有導(dǎo)電層，且所述基底表面暴露出所述導(dǎo)電層表面； 位于所述基底內(nèi)與導(dǎo)電層相鄰的凹槽，且所述凹槽側(cè)壁暴露出所述導(dǎo)電層的側(cè)壁表面； 位于所述基底表面的停止層； 位于所述凹槽內(nèi)和導(dǎo)電層頂部表面的下層電極層，且所述下層電極層覆蓋導(dǎo)電層的頂部表面且延伸至導(dǎo)電層的側(cè)壁表面，所述下層電極層表面齊平于所述停止層表面； 位于所述下層電極層表面的磁隧道材料膜。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報(bào)告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報(bào)告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報(bào)告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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