恭喜朗姆研究公司鮑里斯·沃洛斯基獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利抗蝕劑的干式顯影獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113227909B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980085227.1，技術領域涉及：G03F7/36；該發明授權抗蝕劑的干式顯影是由鮑里斯·沃洛斯基;蒂莫西·威廉·威德曼;薩曼莎·西亞姆華·坦;吳呈昊;凱文·顧設計研發完成，并于2019-12-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本抗蝕劑的干式顯影在說明書摘要公布了：抗蝕劑的干式顯影可使用于例如在高分辨率圖案化中形成圖案化掩模。干式顯影可有利地通過半導體襯底的處理方法來實現，該方法包括：在處理室中將已光圖案化的抗蝕劑提供至半導體襯底上的襯底層上；以及通過以下方式對所述已光圖案化的抗蝕劑進行干式顯影：通過包括暴露于化學化合物以形成抗蝕劑掩模的干式顯影處理來去除所述抗蝕劑的已暴露部分或未暴露部分。所述抗蝕劑可以是EUV敏感的含有機金屬氧化物或有機金屬的薄膜EUV抗蝕劑。
本發明授權抗蝕劑的干式顯影在權利要求書中公布了：1.一種半導體襯底的處理方法，其包括： 在處理室中將EUV圖案化抗蝕劑提供至半導體襯底上的襯底層上,其中，所述EUV圖案化抗蝕劑包含未暴露的有機金屬氧化物部分和已暴露的金屬氧化物部分，其中有機取代基通過EUV曝光裂解； 通過干式顯影處理去除所述EUV圖案化抗蝕劑的已暴露部分或未暴露部分對所述EUV圖案化抗蝕劑進行干式顯影以形成抗蝕劑掩模，所述干式顯影處理包括將抗蝕劑暴露于在有機金屬氧化物部分和金屬氧化物部分之間具有選擇性的化學化合物中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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