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龍圖騰網(wǎng)恭喜昭和電工材料株式會社申請的專利切割晶粒接合一體型膜及其品質(zhì)管理方法以及半導體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114830300B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980103116.9，技術(shù)領域涉及：H01L21/301；該發(fā)明授權(quán)切割晶粒接合一體型膜及其品質(zhì)管理方法以及半導體裝置的制造方法是由彼谷美千子;谷口纮平設計研發(fā)完成，并于2019-12-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本切割晶粒接合一體型膜及其品質(zhì)管理方法以及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種切割晶粒接合一體型膜的品質(zhì)管理方法。該品質(zhì)管理方法包括：第1工序，準備具備基材層、壓敏膠黏劑層及膠黏劑層的切割晶粒接合一體型膜，該基材層具有第1表面及與第1表面相反的一側(cè)的第2表面，該壓敏膠黏劑層設置于基材層的第2表面上且由光固化性壓敏膠黏劑形成，該膠黏劑層設置于壓敏膠黏劑層的與基材層相反的一側(cè)；第2工序，對切割晶粒接合一體型膜的基材層的第1表面計算負載長度比tp；及第3工序，以負載長度比tp為指標，判定切割晶粒接合一體型膜的品質(zhì)的良否。

本發(fā)明授權(quán)切割晶粒接合一體型膜及其品質(zhì)管理方法以及半導體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種切割晶粒接合一體型膜的品質(zhì)管理方法，其包括： 第1工序，準備具備基材層、壓敏膠黏劑層及膠黏劑層的切割晶粒接合一體型膜，所述基材層具有第1表面及與所述第1表面相反的一側(cè)的第2表面，所述壓敏膠黏劑層設置于所述基材層的所述第2表面上且由光固化性壓敏膠黏劑形成，所述膠黏劑層設置于所述壓敏膠黏劑層的與所述基材層相反的一側(cè)； 第2工序，對所述切割晶粒接合一體型膜的所述基材層的所述第1表面計算負載長度比tp；及 第3工序，以所述負載長度比tp為指標，判定切割晶粒接合一體型膜的品質(zhì)的良否， 其中，所述負載長度比tp為切斷水平50％時的負載長度比tp50％， 所述第3工序是根據(jù)是否滿足所述負載長度比tp50％為15％以上來判定品質(zhì)的良否的工序。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人昭和電工材料株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。