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龍圖騰網恭喜中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利半導體材料納米尺度少數載流子擴散系數測量裝置和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114414969B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111387342.X，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權半導體材料納米尺度少數載流子擴散系數測量裝置和方法是由王亞坤;劉爭暉;徐耿釗;宋文濤;張春玉;陳科蓓;韓廈;徐科設計研發完成，并于2021-11-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體材料納米尺度少數載流子擴散系數測量裝置和方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導體材料納米尺度少數載流子擴散系數測量裝置和方法。該測量裝置包括：光源組件，用于產生單色光和脈沖光；樣品臺，用于承載半導體樣品或石墨樣品；導電針尖，用于逼近承載于樣品臺上的半導體樣品的表面目標區域或石墨樣品，且與半導體樣品或石墨樣品間隔設置；及掃描開爾文探針顯微鏡，連接導電針尖，且用于在無光和加單色光時分別獲取逼近表面目標區域的導電針尖上的第一接觸電勢差和第二接觸電勢差，且用于獲取逼近石墨樣品的導電針尖上的第三接觸電勢差；光譜探測器，用于在加脈沖光時獲取表面目標區域的少數載流子的壽命；計算裝置，用于根據第一接觸電勢差、第二接觸電勢差、第三電勢差以及少數載流子的壽命計算出所述擴散系數。

本發明授權半導體材料納米尺度少數載流子擴散系數測量裝置和方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體材料納米尺度少數載流子擴散系數測量裝置，其特征在于，所述測量裝置包括：光源組件，用于產生單色光和脈沖光；樣品臺，用于承載半導體樣品或石墨樣品；導電針尖，與所述樣品臺可相對移動地設置，所述導電針尖用于逼近承載于所述樣品臺上的所述半導體樣品的表面目標區域或所述石墨樣品，且與所述半導體樣品或所述石墨樣品間隔設置；以及掃描開爾文探針顯微鏡，連接所述導電針尖，所述掃描開爾文探針顯微鏡用于在無光和加所述單色光時分別獲取逼近所述表面目標區域的所述導電針尖上的第一接觸電勢差和第二接觸電勢差，且用于獲取逼近所述石墨樣品的所述導電針尖上的第三接觸電勢差；光譜探測器，用于在加所述脈沖光時獲取所述半導體樣品的表面目標區域的少數載流子的壽命；計算裝置，用于根據所述第一接觸電勢差、所述第二接觸電勢差、所述第三接觸電勢差以及所述少數載流子的壽命計算出所述半導體樣品的納米尺度少數載流子的擴散系數；其中，所述計算裝置包括：第一計算單元，用于根據所述第一接觸電勢差和所述第二接觸電勢差計算出所述表面目標區域的空間電荷區的寬度W和擴散長度L之和W+L；第二計算單元，用于根據所述第一接觸電勢差和所述第三接觸電勢差計算出所述表面目標區域的空間電荷區的寬度W；第三計算單元，用于利用所述表面目標區域的空間電荷區的寬度W和擴散長度L之和W+L減去所述表面目標區域的空間電荷區的寬度W，以得到所述表面目標區域的空間電荷區的擴散長度L；第四計算單元，用于根據所述表面目標區域的空間電荷區的擴散長度L和所述少數載流子的壽命τ計算出所述半導體樣品的納米尺度少數載流子擴散系數D。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區若水路398號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。