恭喜英飛凌科技奧地利有限公司G.庫拉托拉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜英飛凌科技奧地利有限公司申請的專利具有深載流子氣接觸結構的高電子遷移率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110233103B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910167378.3，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權具有深載流子氣接觸結構的高電子遷移率晶體管是由G.庫拉托拉;O.赫伯倫設計研發完成，并于2019-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有深載流子氣接觸結構的高電子遷移率晶體管在說明書摘要公布了：一種形成半導體器件的方法，其包括提供異質結半導體本體。該異質結半導體本體包括III?V型半導體背勢壘區，形成在該背勢壘區上的III?V型半導體溝道層，以及形成在該背勢壘區上的III?V型半導體勢壘層。第一二維載流子氣位于溝道與勢壘層之間的界面處。第二二維載流子氣被布置在第一二維載流子氣下方。形成在異質結半導體本體中的深接觸結構，該深接觸結構延伸穿過溝道層并且與第二二維載流子氣形成界面。第一半導體區包括第一接觸材料，該第一接觸材料在與第二二維載流子氣的界面處為第二二維載流子氣的多數載子提供導電路徑。
本發明授權具有深載流子氣接觸結構的高電子遷移率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：提供異質結半導體本體，所述異質結半導體本體包括：III-V型半導體背勢壘區；III-V型半導體溝道層，其形成在所述背勢壘區上并且具有與所述背勢壘區不同的帶隙；III-V型半導體勢壘層，其形成在所述溝道層上并且具有與所述溝道層不同的帶隙；第一二維載流子氣，其形成在溝道與勢壘層之間的界面處；以及第二二維載流子氣，其被布置在所述第一二維載流子氣下方；在所述異質結半導體本體中形成深接觸結構，所述深接觸結構延伸穿過所述溝道層，并且包括第一接觸材料，所述第一接觸材料與所述第二二維載流子氣形成直接界面，其中所述第一接觸材料為所述第二二維載流子氣的多數載子提供導電路徑，以穿過第一接觸材料與所述第二二維載流子氣之間的直接界面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技奧地利有限公司，其通訊地址為：奧地利菲拉赫西門子大街2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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