恭喜科磊股份有限公司D·米克爾松獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網恭喜科磊股份有限公司申請的專利周期性半導體裝置偏移計量學系統及方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114342053B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201980100031.5,技術領域涉及:H01L21/66;該發明授權周期性半導體裝置偏移計量學系統及方法是由D·米克爾松;Y·弗萊設計研發完成,并于2019-09-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本周期性半導體裝置偏移計量學系統及方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種可用于半導體裝置的制造中的偏移計量學系統及方法,所述多層半導體裝置包含:第一周期性結構,其具有沿著第一軸的第一間距,所述第一周期性結構與所述多層半導體裝置的第一層一起形成;第二周期性結構,其具有沿著第二軸的第二間距,所述第二軸與所述第一軸不平行,所述第二周期性結構與所述多層半導體裝置的所述第一層一起形成;及第三周期性結構,其具有沿著第三軸的第三間距,所述第三軸與所述第一軸不平行且所述第三軸與所述第二軸不平行,所述第三周期性結構與所述多層半導體裝置的第二層一起形成,所述第三周期性結構及所述第一周期性結構及所述第二周期性結構彼此覆蓋,所述偏移計量學系統及方法包含:產生所述第一周期性結構、所述第二周期性結構及所述第三周期性結構的單個圖像,借此提供聚合信號;從所述聚合信號提取第一分量,所述第一分量歸因于所述第一周期性結構;從所述聚合信號提取第二分量,所述第二分量歸因于所述第二周期性結構;從所述聚合信號提取第三分量,所述第三分量歸因于所述第三周期性結構;及分析所述第一分量、所述第二分量及所述第三分量,借此確定所述第一層與所述第二層之間的偏移。
本發明授權周期性半導體裝置偏移計量學系統及方法在權利要求書中公布了:1.一種用于測量多層半導體裝置的制造中的偏移的偏移計量學方法,所述多層半導體裝置包含:第一周期性結構,其具有沿著第一軸的第一間距,所述第一周期性結構與所述多層半導體裝置的第一層一起形成;第二周期性結構,其具有沿著第二軸的第二間距,所述第二軸與所述第一軸不平行,所述第二周期性結構與所述多層半導體裝置的所述第一層一起形成;及第三周期性結構,其具有沿著第三軸的第三間距,所述第三軸與所述第一軸不平行且所述第三軸與所述第二軸不平行,所述第三周期性結構與所述多層半導體裝置的第二層一起形成,所述第三周期性結構及所述第一周期性結構及所述第二周期性結構彼此覆蓋;所述偏移計量學方法包括:產生所述第一周期性結構、所述第二周期性結構及所述第三周期性結構的單個圖像,借此提供聚合信號;從所述聚合信號提取第一分量,所述第一分量歸因于所述第一周期性結構;從所述聚合信號提取第二分量,所述第二分量歸因于所述第二周期性結構;從所述聚合信號提取第三分量,所述第三分量歸因于所述第三周期性結構;及分析所述第一分量、所述第二分量及所述第三分量,借此確定所述第一層與所述第二層之間的偏移。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人科磊股份有限公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。