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龍圖騰網(wǎng)恭喜科磊股份有限公司申請的專利周期性半導體裝置偏移計量學系統(tǒng)及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114342053B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980100031.5，技術領域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)周期性半導體裝置偏移計量學系統(tǒng)及方法是由D·米克爾松;Y·弗萊設計研發(fā)完成，并于2019-09-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本周期性半導體裝置偏移計量學系統(tǒng)及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種可用于半導體裝置的制造中的偏移計量學系統(tǒng)及方法，所述多層半導體裝置包含：第一周期性結(jié)構(gòu)，其具有沿著第一軸的第一間距，所述第一周期性結(jié)構(gòu)與所述多層半導體裝置的第一層一起形成；第二周期性結(jié)構(gòu)，其具有沿著第二軸的第二間距，所述第二軸與所述第一軸不平行，所述第二周期性結(jié)構(gòu)與所述多層半導體裝置的所述第一層一起形成；及第三周期性結(jié)構(gòu)，其具有沿著第三軸的第三間距，所述第三軸與所述第一軸不平行且所述第三軸與所述第二軸不平行，所述第三周期性結(jié)構(gòu)與所述多層半導體裝置的第二層一起形成，所述第三周期性結(jié)構(gòu)及所述第一周期性結(jié)構(gòu)及所述第二周期性結(jié)構(gòu)彼此覆蓋，所述偏移計量學系統(tǒng)及方法包含：產(chǎn)生所述第一周期性結(jié)構(gòu)、所述第二周期性結(jié)構(gòu)及所述第三周期性結(jié)構(gòu)的單個圖像，借此提供聚合信號；從所述聚合信號提取第一分量，所述第一分量歸因于所述第一周期性結(jié)構(gòu)；從所述聚合信號提取第二分量，所述第二分量歸因于所述第二周期性結(jié)構(gòu)；從所述聚合信號提取第三分量，所述第三分量歸因于所述第三周期性結(jié)構(gòu)；及分析所述第一分量、所述第二分量及所述第三分量，借此確定所述第一層與所述第二層之間的偏移。

本發(fā)明授權(quán)周期性半導體裝置偏移計量學系統(tǒng)及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于測量多層半導體裝置的制造中的偏移的偏移計量學方法，所述多層半導體裝置包含：第一周期性結(jié)構(gòu)，其具有沿著第一軸的第一間距，所述第一周期性結(jié)構(gòu)與所述多層半導體裝置的第一層一起形成；第二周期性結(jié)構(gòu)，其具有沿著第二軸的第二間距，所述第二軸與所述第一軸不平行，所述第二周期性結(jié)構(gòu)與所述多層半導體裝置的所述第一層一起形成；及第三周期性結(jié)構(gòu)，其具有沿著第三軸的第三間距，所述第三軸與所述第一軸不平行且所述第三軸與所述第二軸不平行，所述第三周期性結(jié)構(gòu)與所述多層半導體裝置的第二層一起形成，所述第三周期性結(jié)構(gòu)及所述第一周期性結(jié)構(gòu)及所述第二周期性結(jié)構(gòu)彼此覆蓋；所述偏移計量學方法包括：產(chǎn)生所述第一周期性結(jié)構(gòu)、所述第二周期性結(jié)構(gòu)及所述第三周期性結(jié)構(gòu)的單個圖像，借此提供聚合信號；從所述聚合信號提取第一分量，所述第一分量歸因于所述第一周期性結(jié)構(gòu)；從所述聚合信號提取第二分量，所述第二分量歸因于所述第二周期性結(jié)構(gòu)；從所述聚合信號提取第三分量，所述第三分量歸因于所述第三周期性結(jié)構(gòu)；及分析所述第一分量、所述第二分量及所述第三分量，借此確定所述第一層與所述第二層之間的偏移。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人科磊股份有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。