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龍圖騰網恭喜三星顯示有限公司申請的專利發光元件和包括其的顯示裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113454784B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980092656.1，技術領域涉及：H10H29/30；該發明授權發光元件和包括其的顯示裝置是由閔正泓;金大賢;金東旭;趙顯敏;金世詠;李昇我;車炯來設計研發完成，并于2019-08-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本發光元件和包括其的顯示裝置在說明書摘要公布了：一種發光元件可以包括發射堆疊圖案，發射堆疊圖案包括在一個方向上堆疊的第一導電半導體層、活性層和第二導電半導體層。這里，活性層可以包括在發射堆疊圖案的縱向方向上與第一導電半導體層接觸的第一表面以及與第二導電半導體層接觸并同時與第一表面相對的第二表面。第一導電半導體層可以包括至少一個n型半導體層，并且第二導電半導體層可以包括至少一個p型半導體層。此外，活性層的第一表面在發射堆疊圖案內在發射堆疊圖案的縱向方向上可以位于與從發射堆疊圖案的總長度的一半起偏離?20％至+20％的范圍對應的點處。

本發明授權發光元件和包括其的顯示裝置在權利要求書中公布了：1.一種發光元件，所述發光元件包括：發射堆疊圖案，包括在一個方向上順序地堆疊的第一半導體層、活性層、第二半導體層和電極層，其中，所述活性層包括在所述發射堆疊圖案的縱向方向上與所述第一半導體層接觸的第一表面以及與所述第一表面相對并與所述第二半導體層接觸的第二表面，其中，所述第一半導體層包括至少一個n型半導體層，并且所述第二半導體層包括至少一個p型半導體層，其中，所述活性層的所述第一表面在所述發射堆疊圖案內在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上位于與從所述發射堆疊圖案的總長度的一半起偏離-20%至+20%的范圍對應的點處，并且其中，在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上，所述電極層比所述第二半導體層厚，并且其中，在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上，所述電極層比所述第一半導體層薄。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星顯示有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道龍仁市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。