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龍圖騰網(wǎng)恭喜無錫新潔能股份有限公司申請的專利一種集成式高壓半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119325274B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411857388.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/80；該發(fā)明授權(quán)一種集成式高壓半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法是由朱袁正;黃薛佺;楊卓;葉鵬;李宗清設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種集成式高壓半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種集成式高壓半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法。本發(fā)明包括N型襯底上的N型外延層，背面設(shè)有漏極金屬，結(jié)構(gòu)分為M1器件區(qū)域、M2器件區(qū)域及隔離區(qū)，N外延層內(nèi)排列P型柱，并在其上方設(shè)置P型體區(qū)，連接不同摻雜的N型和P型源極；M2器件區(qū)域設(shè)有閾值調(diào)整區(qū)，器件表面覆蓋柵氧化層和多晶硅柵極；介質(zhì)層分別分布在各區(qū)域，M1源極金屬和M2源極金屬與P型體區(qū)的源極相連；隔離區(qū)配置二極管，陽極金屬與N型源極連接，陰極金屬與P型源極連接，或設(shè)置第二柵極多晶硅，分別與重?fù)诫s的N型和P型多晶硅及陰陽極金屬連接。本發(fā)明降低了電路拓?fù)涞膿p耗，提高系統(tǒng)效率和集成度。

本發(fā)明授權(quán)一種集成式高壓半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成式高壓半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括M1器件區(qū)域、M2器件區(qū)域以及設(shè)置于所述M1器件區(qū)域和所述M2器件區(qū)域之間的隔離區(qū)域；所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括：N型襯底；N型外延層，設(shè)置于所述N型襯底表面；漏極金屬，設(shè)置于所述N型襯底背面；P型柱，間隔設(shè)置于所述N型外延層內(nèi)，包括位于所述M1器件區(qū)域和所述M2器件區(qū)域內(nèi)的第一P型柱，以及位于所述隔離區(qū)域內(nèi)的第二P型柱；P型體區(qū)，設(shè)置所述N型外延層內(nèi)且位于各所述P型柱上方，所述P型體區(qū)與其下方的一個或多個所述P型柱相連；所述P型體區(qū)包括位于所述M1器件區(qū)域和所述M2器件區(qū)域內(nèi)的第一P型體區(qū)，以及位于所述隔離區(qū)域內(nèi)的第二P型體區(qū)；其中，所述第一P型體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一重?fù)诫sN型源極和第一重?fù)诫sP型源極，所述第一重?fù)诫sN型源極位于所述第一重?fù)诫sP型源極兩側(cè)；閾值調(diào)整區(qū)，位于所述M2器件區(qū)域內(nèi)的所述N型外延層表面；柵氧化層，設(shè)置于所述N型外延層表面；第一柵極多晶硅，設(shè)置于位于所述M1器件區(qū)域和所述M2器件區(qū)域內(nèi)的所述柵氧化層表面；介質(zhì)層，設(shè)置于所述N型外延層表面，包括位于所述M1器件區(qū)域和所述M2器件區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層，以及位于所述隔離區(qū)域內(nèi)的第二介質(zhì)層；M1源極金屬和M2源極金屬，分別對應(yīng)位于所述M1器件區(qū)域和所述M2器件區(qū)域內(nèi)的所述第一介質(zhì)層表面，其中，所述M1源極金屬與所述M1器件區(qū)域中的每一個所述第一P型體區(qū)中的所述第一重?fù)诫sN型源極和所述第一重?fù)诫sP型源極相連，所述M1源極金屬與所述M2器件區(qū)域中的每一個所述第一P型體區(qū)中的所述第一重?fù)诫sN型源極和所述第一重?fù)诫sP型源極相連；在所述M2器件區(qū)域內(nèi)形成耗盡型超結(jié)功率MOSFET器件；二極管器件，包括陽極金屬和陰極金屬，均位于所述第二介質(zhì)層表面；其中，所述第二P型體區(qū)內(nèi)分別設(shè)置有第二重?fù)诫sN型源極和第二重?fù)诫sP型源極，所述陽極金屬與所述第二重?fù)诫sN型源極相連，所述陰極金屬與所述第二重?fù)诫sP型源極相連；或者，在所述第二介質(zhì)層中設(shè)置有第二柵極多晶硅，所述第二柵極多晶硅的兩側(cè)分別設(shè)置有重?fù)诫sN型多晶硅和重?fù)诫sP型多晶硅，所述重?fù)诫sN型多晶硅與所述陰極金屬相連，所述重?fù)诫sP型多晶硅與所述陽極金屬相連。

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