恭喜電子科技大學陳飛良獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜電子科技大學申請的專利表面等離激元納腔集成的納米空氣溝道光混頻器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115954402B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211598896.9，技術領域涉及：H10F77/14；該發明授權表面等離激元納腔集成的納米空氣溝道光混頻器是由陳飛良;李沫;張健;李曉旭;王佳超;馬培勝;姜昊;楊帆設計研發完成，并于2022-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本表面等離激元納腔集成的納米空氣溝道光混頻器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種表面等離激元納腔集成的納米空氣溝道光混頻器，屬于毫米波太赫茲器件與光電探測器技術領域。該器件包括絕緣襯底，依次設置于其上方的下電極、半導體吸收層、納米絕緣層；納米絕緣層上方設置上電極，該上電極從右側向下延伸至絕緣襯底，且上電極與下電極、半導體吸收層、納米絕緣層之間設置橫向隔離層；上電極與半導體吸收層之間構成納米空氣溝道；上電極與下電極之間構成表面等離激元納腔。本發明通過將入射光局域壓縮在超薄的半導體吸收層內，使其在保持充分光吸收和高響應度的同時實現大帶寬；同時通過將半導體吸收層夾在高熱導率的電極之間改善散熱性，從而同時達到高響應度、大帶寬與大輸出功率性能。
本發明授權表面等離激元納腔集成的納米空氣溝道光混頻器在權利要求書中公布了：1.一種表面等離激元納腔集成的納米空氣溝道光混頻器，其特征在于：該納米空氣溝道光混頻器，包括絕緣襯底、下電極、半導體吸收層、納米絕緣層、上電極、橫向隔離層；所述下電極、半導體吸收層、納米絕緣層依次設置于絕緣襯底上方，且三者右側設置橫向隔離層；所述上電極設置于納米絕緣層與橫向隔離層的上表面；上電極通過橫向隔離層與半導體吸收層及下電極進行隔離，同時橫向隔離層也作為半導體吸收層的鈍化層和上電極的支撐層；所述上電極與半導體吸收層之間構成納米空氣溝道；所述上電極與下電極之間構成表面等離激元納腔。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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