買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜天津世宇電子股份有限公司申請的專利一種納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119685824B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510198272.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23D5/02；該發(fā)明授權(quán)一種納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法是由安京哲設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法，屬于低熔點玻璃技術(shù)領(lǐng)域，首先，所述制備方法包括以下步驟：向純水中攪拌加入低熔點玻璃粉體，經(jīng)攪拌、球磨后，得到漿料，將漿料涂覆在金屬基材的表面，得到載漿基材，再將載漿基材進行熔融固化后，再自然冷卻至室溫，即在金屬基材的表面形成納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層。經(jīng)檢測，所形成的玻璃絕緣涂層的熱膨脹系數(shù)25℃～300℃為13.21×10?6℃～13.74×10?6℃，本發(fā)明中制備的納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的熱膨脹系數(shù)與304不銹鋼的熱膨脹系數(shù)的差異更小。

本發(fā)明授權(quán)一種納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：向純水中攪拌加入低熔點玻璃粉體，混合攪拌10～20min，再進行球磨8～12h，球磨完畢后，得到漿料，將漿料涂覆在金屬基材的表面，得到載漿基材，再將載漿基材以5～10℃min的速率從室溫升溫至300℃，保溫20～30min，再繼續(xù)以5～10℃min的速率升溫至1000～1100℃，恒溫加熱1h，再自然冷卻至室溫，即在金屬基材的表面形成納米復(fù)合低熔點玻璃絕緣涂層；所述低熔點玻璃粉體由以下質(zhì)量百分比組分混合而成：氧化鋅10.64%～18.40%、氧化銅7.79%～7.87%、氧化鉍60.50%～61.15%、氧化硼11.36%～18.37%、改性碳化硅晶須1.95%～1.97%；所述改性碳化硅晶須由以下步驟制備：S1、將碳化硅晶須浸泡于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%～20%的氫氟酸溶液中12～24h，浸泡完畢后，過濾，收集固體組分，用純水洗滌固體組分3～5次，洗滌完畢后，得到酸處理碳化硅晶須，將酸處理碳化硅晶須浸泡于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的過氧化氫溶液中1～4h，浸泡完畢后，過濾，得到羥基化碳化硅晶須；S2、向純水中攪拌加入磷酸和氫氧化鋁，室溫攪拌5～10min，再升溫至75～80℃，恒溫攪拌5～10min，再向其中攪拌加入羥基化碳化硅晶須，添加完畢后，充入氮氣，體系再升溫至85～90℃，恒溫攪拌反應(yīng)2～5h，反應(yīng)完畢，靜置冷卻至室溫，過濾，收集固體組分，再將固體組分置于140～150℃恒溫條件下干燥至恒重，再經(jīng)冷卻至室溫，得到改性碳化硅晶須。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人天津世宇電子股份有限公司，其通訊地址為：300000 天津市津南區(qū)八里臺泰達(dá)(津南)微電子工業(yè)區(qū)科達(dá)二路H-B1；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。