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龍圖騰網(wǎng)恭喜意法半導(dǎo)體(圖爾)公司申請的專利用于制造電子芯片的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112908872B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011412573.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)用于制造電子芯片的方法是由M·德克魯茲;O·奧里設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于制造電子芯片的方法在說明書摘要公布了：本公開的各實施例涉及用于制造電子芯片的方法。一種用于制造電子芯片的方法包括：在半導(dǎo)體基底的第一面?zhèn)壬闲纬山饘倩浚@些金屬化部將相鄰集成電路的接觸部彼此耦接，在該半導(dǎo)體基底中和在該半導(dǎo)體基底上已經(jīng)預(yù)先形成了多個集成電路。該方法還包括：在基底的第一面?zhèn)壬闲纬傻谝粶喜郏@些第一溝槽延伸穿過基底的第一面并且在橫向上將相鄰的集成電路分隔開。第一溝槽延伸穿過金屬化部，以在相鄰電路中的每個電路處形成金屬化部的至少部分。

本發(fā)明授權(quán)用于制造電子芯片的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造電子芯片的方法，包括：在半導(dǎo)體基底的第一面上形成金屬化部，所述金屬化部將所述基底上的相鄰的集成電路的相應(yīng)接觸部彼此耦接；以及形成第一溝槽，所述第一溝槽延伸穿過所述基底的所述第一面、并且在橫向上將相鄰的所述集成電路分隔開，所述第一溝槽延伸穿過將相鄰的所述集成電路的相應(yīng)接觸部耦接的所述金屬化部，以在相鄰的所述集成電路中的每個集成電路處形成所述金屬化部的至少部分；在整個所述第一面上沉積第一樹脂的層，所述第一樹脂滲透到所述第一溝槽中、并且覆蓋所述金屬化部的所述部分。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人意法半導(dǎo)體(圖爾)公司，其通訊地址為：法國圖爾；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。